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guaiguaizhxd木蟲 (小有名氣)
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VASP中雙空位缺陷反鐵磁參數(shù)設(shè)置
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計算了h-BN中的B和N雙空位缺陷。審稿人認(rèn)為應(yīng)該考慮反鐵磁的情況,并做比較。通常情況下,例如摻雜引入外來原子,只要設(shè)置兩個原子的自旋磁距相反就可以了,即設(shè)置MAGMOM參數(shù)。但是,對于雙空位缺陷來講,空位臨近的原子數(shù)量眾多,且還有共用的情況,如果再設(shè)置MAGMOM的話,貌似組合太多,工作量太大。 現(xiàn)在問題來了,可否通過僅僅設(shè)置NUPDOWN = 0的方式,鎖定系統(tǒng)的凈磁距為0,來模擬反鐵磁的情形呢?本人對磁性計算純屬菜鳥,請多指教。多謝多謝! |

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