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[求助]
Ti-6Al-4V XPS能譜C1s校準
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小碩機械，XPS新手。樣品本身不含c，Ar離子濺射10nm后，C1s能譜有兩個峰，285.2和282.0ev。我先把它分了峰，分成三個，如下圖，再用 284.8校準（我以最小結合能處峰值校準到284.8）. V的精細譜2p1/2 522.7ev， 2p3/2 515ev，峰間距和 0價的V 7.7比較接近，結合實際情況V應該是0價。但V標準峰 2p1 519.6ev 2p3 511.9，相差3.1ev。 請問我校準是不是不對，還是哪里的問題?如果錯了，我怎么改。謝謝！ C1s校準后.jpg V 右側兩個峰.jpg V標準能譜.jpg |
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送紅花一朵 
5樓2016-11-13 16:19:21
3樓2016-11-11 10:57:39
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如果把282峰當成校正的目標，校正是沒有問題。剛查了下，五價釩的自旋分裂在7.5左右，然而2p3的峰位在517.5，你可以嘗試別的價態(tài)等化學環(huán)境。還有你的刻蝕時間呢？刻蝕速率如何得知？ 發(fā)自小木蟲Android客戶端 |
» 本帖已獲得的紅花（最新10朵）
4樓2016-11-11 15:33:12
hxju
木蟲 (小有名氣)
- 應助: 10 (幼兒園)
- 金幣: 2626.1
- 紅花: 14
- 帖子: 246
- 在線: 72.4小時
- 蟲號: 710883
- 注冊: 2009-02-28
- 專業(yè): 同步輻射技術及其應用
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一般物質都是含有污染碳的，機時純度很高的單晶樣品也是會有一定量的污染碳，一般污染碳的峰位是在285ev附近。有問題，你的樣品導電性不好嗎？如果導電性不好，有荷電，會需要校準。如果導電性好，你應該考慮一下C譜峰中低結合的峰是不是其他成分的譜峰，例如Ru 3d就和C峰非常接近 發(fā)自小木蟲Android客戶端 |
6樓2016-11-14 00:03:16
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