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哈嘍孟孟新蟲 (小有名氣)
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indirect bandgap 和direct bandgap是什么意思 已有2人參與
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請問在光催化中，indirect bandgap和direct bandgap是什么意思啊？ 捕獲.PNG |
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【答案】應(yīng)助回帖
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哈嘍孟孟: 金幣+3, ★有幫助 2016-11-30 14:23:02
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indirect bandgap 和direct bandgap 直觀上理解就是，直接帶隙對應(yīng)的過程是：一個電子在動量空間從VBM激發(fā)到CBM并不需要聲子(quantized energy of lattice vibration)的參與（也就是不會被晶格振動散射），因為VBM和CBM在動量空間的位置一致。而間接帶隙對應(yīng)的過程則需要聲子參與，也就是說電子會被晶格散射，從而放出聲子。而電子一開始是沒有動量的，所以必須引入聲子，因為動量方向必須滿足動量守恒，見下圖1。打個不恰當(dāng)?shù)谋扔�，如果你在一棟樓里，從一層到頂層只需要坐電梯垂直起降就好，但是如果你想要到臨近樓的話，那你就只能借助樓與樓之間的通道或是橫跨電梯了。這里聲子就像這個橫跨通道的作用。因為直接帶隙半導(dǎo)體的輻射躍遷過程（也就是激發(fā)態(tài)電子與空穴結(jié)合的過程）不需要聲子參與，所以這個過程發(fā)生的可能性就要大，就有足夠的時間（也就是我之前的表述，lifetime)完成這個復(fù)合過程。而間接帶隙半導(dǎo)體，因為復(fù)合過程需要聲子參與，所以輻射躍遷發(fā)生的可能性就遠(yuǎn)小于在直接帶隙半導(dǎo)體。也就是說在給定一段時間內(nèi)，這個過程太慢以至于小概率發(fā)生。所以發(fā)光效率很高，非常適合做光電器件。這樣就是為什么monolayer 2D Transition Metal Dichalgenides(TMDs)能在graphene之后獲得巨大關(guān)注的原因。 |
3樓2016-11-29 15:55:06
lxg133298
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