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有關(guān)MOCVD生長GaN工藝問題 已有1人參與
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藍(lán)寶石襯底上外延GaN典型的生長工藝：襯底在H2中熱處理的溫度和時間分別為1100℃、10min;緩沖層生長溫度為620℃，生長時間為110s；緩沖層生長完成后襯底溫度在10min內(nèi)升至外延層生長溫度（1060℃-1100℃）；外延層生長過程中，Ga源的流量為54μmol/min，氨氣為4.0L/min。緩沖層與外延層的生長壓力均為760Torr。材料生長完成后，外延層以1℃/s的速度將至900℃，然后隨爐冷卻至室溫。 請問：1、為什么一開始要對Al2O3進(jìn)行熱處理？ 2、為什么要在10分鐘內(nèi)升至外延層生長溫度（1060℃-1100℃）？ 3、為什么要在材料生長完成后，外延層以1℃/s的速度將至900℃？然后隨爐冷卻至室溫？@jackdeng |
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2樓2016-12-15 16:40:24
DDQ01
銅蟲 (小有名氣)
- 應(yīng)助: 2 (幼兒園)
- 金幣: 860.3
- 散金: 66
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- 蟲號: 3452149
- 注冊: 2014-10-01
- 專業(yè): 半導(dǎo)體科學(xué)與信息器件
3樓2016-12-19 16:44:45
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