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640 nm薄膜如何做正電湮沒測壽命譜？
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本人樣品為α-Al2O3 (100 nm)/Cr2O3 (60 nm)多層膜共640 nm厚，想做正電子湮沒壽命譜(PAL)。但是，放射源為22Na，當它發(fā)生β+ 衰變時，主要產(chǎn)生動 能為0-540keV 的正電子，這些正電子能輕易穿透薄膜。 The stopping profile of positrons emitted is given by: P(x) = A exp(-Ax) where A = 16 × density [g·cm-3]/ (Emax^1.4 [MeV]) [cm-1]. Al2O3的密度為3.95 [g·cm-3], C2O3為5.22 [g·cm-3]，取平均4.5，算出 A = 190 cm-1, 也就是特征穿入深度為52 μm. 硅的密度為2.33，算出特征穿入深度為101.6 μm 本人設想在樣品表面先覆蓋一層0.1 μm的default-free硅，再做PAL不知是否可行？ |
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