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luo019922鐵蟲 (初入文壇)
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VASP高溫高壓AIMD后結(jié)構(gòu)優(yōu)化問題 已有2人參與
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| 請教各位大神,我用VASP在高溫高壓(3000K,50GPa)下做AIMD模擬(NVT)熔體結(jié)構(gòu)達(dá)到平衡之后,我從平衡的結(jié)構(gòu)中選取一個snapshot去做結(jié)構(gòu)優(yōu)化之后得到的是我在高溫高壓下的穩(wěn)定結(jié)構(gòu)嗎?我知道結(jié)構(gòu)優(yōu)化可以說是基于0K的,但我的理解是高溫的AIMD其實每一個離子步中也是固定離子再對電子波函數(shù)迭代的,所以不太理解能否在高溫AIMD之后再結(jié)構(gòu)優(yōu)化?希望得到指導(dǎo),感謝! |
金蟲 (正式寫手)

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如果只是為了得到結(jié)構(gòu)的話,你測量的情況顯然是就應(yīng)當(dāng)是系綜平均的結(jié)構(gòu),都高溫高壓下了,你很難保證隨著溫度增加系統(tǒng)平均的體積會如何變化,這些結(jié)構(gòu)不太可能老老實實待在穩(wěn)定狀態(tài)上,倘若直接考慮優(yōu)化顯然不能描述體積膨脹的過程: 低溫下或者只考慮簡諧近似的話,平均結(jié)構(gòu)顯然是與直接優(yōu)化沒什么區(qū)別,因為簡諧近似下勢能面在平衡點附近是近似對稱的。 隨著溫度增加,結(jié)構(gòu)的分布可以越偏離平衡結(jié)構(gòu),但由于勢能面本身就不是對稱的,平均結(jié)構(gòu)就會朝一個方向偏,所以導(dǎo)致晶格膨脹,這個問題如果只是進(jìn)行普通優(yōu)化就能描述的。這還不是穩(wěn)態(tài)與亞穩(wěn)態(tài)的問題。 其余性質(zhì)其實也得建立在有限溫度的過程,3000K和高壓環(huán)境還是應(yīng)當(dāng)慎重處理。 這應(yīng)該是對你之前的問題做了個詳細(xì)的說明,還有樓上的竟然把別人的答案直接抄來,這樣也可以? |

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