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有何不可瓊銀蟲 (著名寫手)
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[求助]
偽氫飽和 已有1人參與
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在文獻中看到用H0.5、H0.75、H1.25、H1.5,對體系進行偽氫飽和,說是為了阻止界面之間的電荷轉(zhuǎn)移,降低在界面形成的內(nèi)部電場。 在贗勢庫中也確實查到有幾種贗勢,實現(xiàn)起來也不難。但有幾個問題不太明白: 1,這幾種氫,與普通的氫原子相比,除了所帶電量不一樣,還有其他區(qū)別嗎? 2,看文獻中,有的用H0.75,有的用H1.25,有的用H1.5,不知道選用哪一種H飽和具體的依據(jù)是什么? 3,我看到很多半導(dǎo)體的異質(zhì)結(jié),說光學(xué)性質(zhì)改變,就是因為界面電荷轉(zhuǎn)移造成的。這個用偽氫飽和之后,是不是就不會有電荷轉(zhuǎn)移,然后光學(xué)性質(zhì)還會改變嗎? 求大神指點一二! 發(fā)自小木蟲IOS客戶端 |

銀蟲 (著名寫手)

金蟲 (正式寫手)
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1,這幾種氫,與普通的氫原子相比,除了所帶電量不一樣,還有其他區(qū)別嗎? >>>>沒有其他區(qū)別,贗H,顧名思義,就是假的。真實中沒有。只是用軟件設(shè)置的含有分數(shù)電荷的元素來飽和懸掛鍵而有效鈍化懸掛鏡的 2,看文獻中,有的用H0.75,有的用H1.25,有的用H1.5,不知道選用哪一種H飽和具體的依據(jù)是什么? >>>>看你要鈍化的是什么的懸掛鍵。根據(jù)2個電子組成的鍵才是穩(wěn)定結(jié)構(gòu):如果你要鈍化1個電子的鍵(比如Si)那么就用1個電子的H;如果要鈍化1.25個電子的鍵(比如N)那就用H0.75,以此類推。 3,我看到很多半導(dǎo)體的異質(zhì)結(jié),說光學(xué)性質(zhì)改變,就是因為界面電荷轉(zhuǎn)移造成的。這個用偽氫飽和之后,是不是就不會有電荷轉(zhuǎn)移,然后光學(xué)性質(zhì)還會改變嗎? >>>>贗H鈍化是為了模擬一個無限大的體材料termination,一般用在表面界面計算中(界面的本質(zhì)就是兩個表面拼接在一起接觸)。當(dāng)然,也可以說是為了避免電荷轉(zhuǎn)移。但是用贗H飽和后,就只能說是在界面的最上面的表面跟最下面的表面(c方向的image之間)沒有電荷轉(zhuǎn)移了(在不考慮dipole 存在的情況下)但是在界面接觸的地方肯定也有電荷轉(zhuǎn)移的、 |

銀蟲 (著名寫手)

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