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Qian紙鶴

金蟲 (正式寫手)

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專業(yè): 半導(dǎo)體晶體與薄膜材料

[求助] MOS晶體管IV特性

首先聲明下，自己對MOS晶體管、半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識都不是很懂。問個自己覺得很簡單的問題：

NMOS型晶體管的轉(zhuǎn)移特性曲線（Ids-Vgs曲線），在求其閾值電壓的時候通常選取Ids=0.1V，選擇0.1V的原因是什么呢？

PMOS型晶體管的轉(zhuǎn)移特性曲線（Ids-Vgs曲線），其Vgs、Vth、Vds都為負值，如何判定曲線的某一部分是處于飽和區(qū)、線性區(qū)、亞閾值區(qū)呢？

附一張PMOS TFT的轉(zhuǎn)移特性曲線（Vth=-4.8V）

轉(zhuǎn)移特性曲線.png

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1樓 2017-03-22 19:47:18

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lijun2952067

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專業(yè): 其他無機非金屬材料

Vds取0,1V是為了排除Drain電壓對Vth的影響。DIGBL（Drain induce Grain Boundary lower），Drain電壓會降低晶界勢壘，引起Vth漂移。另外，取0.1V也可以方便TFT性能進行比較。

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回復(fù)此樓

2樓2017-04-09 22:33:25