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[資源]
關(guān)于極性面鈍化添加贗氫問題！
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記不清楚在那個(gè)話題里面見到有人問如何添加贗氫原子來飽和極性面或者消除內(nèi)偶極矩。當(dāng)時(shí)斑竹表示出很大的興趣，讓提供一些這方面文獻(xiàn)資源。很遺憾，當(dāng)時(shí)沒有高手出現(xiàn)解答這個(gè)問題，雖然我不是什么高手，但是這個(gè)問題我有些心得。當(dāng)時(shí)由于剛做父親（我們家閨女今天5個(gè)月零12天），再加上我的CASTEP計(jì)算出點(diǎn)問題，一直沒有好好摸索這個(gè)問題。 今天有空，就當(dāng)作送給大伙的新年禮物！ 在二六族、三五族纖鋅礦結(jié)構(gòu)半導(dǎo)體中，由于沿c軸方向缺少鏡面對稱，也就是說在c軸方向上是一層A原子一層B原子堆積而成，這些正負(fù)電荷的累積導(dǎo)致沿c軸方向出現(xiàn)一個(gè)偶極矩。詳見PHYSICAL REVIEW B 67, 035403 （2003）Density-functional study of the structure and stability of ZnO surfaces。塊體裁成表面時(shí)候會(huì)出現(xiàn)多種情況（例如電荷轉(zhuǎn)移、表面原子再構(gòu)、吸附雜質(zhì)原子等）消除偶極矩。 于是在第一原理模擬這些極性表面時(shí)候要考慮如何消除這個(gè)偶極矩，使用第一原理程序包最好最直觀的辦法就是添加贗氫。 VASP里直接提供了很多贗氫如H0.5，H0.75，H0.25，H1.25，等。也就是說這些氫原子是為了某種目的而人為制造的，它的電荷不再是1，而分別為0.5，0.25，0.75，1.25等。 |
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3樓2009-01-02 13:24:38
2樓2009-01-02 11:04:23
★ ★ ★ ★ ★
fegg7502(金幣+5,VIP+0):Happy new year, you are welcome!
fegg7502(金幣+5,VIP+0):Happy new year, you are welcome!
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回復(fù)樓上，并繼續(xù)！ 目前我見到的有關(guān)贗氫鈍化的計(jì)算，都是在極性表面上的。如果是模擬極性表面，我覺得需要鈍化！ 以ZnO為例， Import ZnO，然后 Build----Cleave Surface， cleave plane 填寫0 0 1， Top 為0，Depth 3.0，即總共為六個(gè)雙層。 繼續(xù)點(diǎn)擊Build---Crystals---Build Vacuum Slab，輸入真空層厚度，大約為1.0nm。確定即可。 待Supercell構(gòu)建成功后，點(diǎn)擊Add atoms， Element 選擇H，Oxidation state選擇吸附原子，輸入想放置原子的具體位置。然后點(diǎn)中添加的原子，修改Property中的FormalCharge。 贗氫在VASP中的解釋就是artificial-atom即人造原子，也就是為了某種需要而認(rèn)為假設(shè)出來的原子，只不過它的電荷數(shù)很接近于H，就如同對H原子作了一個(gè)簡單修改而成，所以叫贗氫！ 歡迎討論阿！ [ Last edited by amynliou on 2009-1-3 at 11:13 ] |
4樓2009-01-03 10:54:47
★ ★ ★
fegg7502(金幣+3,VIP+0):thanks,haha
fegg7502(金幣+3,VIP+0):thanks,haha
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在添加VAccum構(gòu)建Supercell的時(shí)候，我們也可以直接Cleave face 選項(xiàng)框里最底下一欄的 Cap bands on （）faces with （），兩個(gè)括號是待選項(xiàng)，第一個(gè)可以選擇Neither，Both， Bottom， Top；第二個(gè)可以選擇覆蓋表面用的元素。 但是這里添加的H的 Formal Charge都是，雙擊，把它們修改為需要的分?jǐn)?shù)電荷！ [ Last edited by amynliou on 2009-1-3 at 11:09 ] |
5樓2009-01-03 11:02:03
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