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請問各位大牛，關(guān)于X射線衍射峰發(fā)生小角度偏移 已有3人參與
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| 如題，我制備的Ni涂層，衍射峰發(fā)生了0.5°左右的偏移，請問，怎么去解釋呢？我目前只知道，是因為有較大尺寸晶體的摻雜引起的，導(dǎo)致了晶格畸變。那么具體怎么深入分析呢？本人對材料了解的不是太深入，煩請各位大牛賜教，或是指點一下有哪些書籍，論文等。謝謝 |
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| 衍射峰發(fā)生偏移的因素有很多，包括應(yīng)力、摻雜形成固溶體等等。對于金屬涂層而言，如果與基體發(fā)生擴散或者反應(yīng)形成合金（包括固溶體），在XRD中體現(xiàn)出來的就是峰位的偏移。峰位往小角度偏移的衍射峰，所對應(yīng)晶面的間距變大，反之，對應(yīng)晶面的晶面間距變小。如果是摻雜引起，可以從摻雜元素在基體材料中的摻雜位置，例如間隙摻雜或原位取代等，來分析摻雜造成的晶格畸變；如果為應(yīng)力造成，則可以從相變、熱膨脹系數(shù)差異等，結(jié)合應(yīng)力分布或者計算來進行分析。 |
4樓2017-06-19 21:56:04
whd博士
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8樓2017-06-21 12:19:07
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我個人覺得歸結(jié)于殘余應(yīng)力是說得過去的。畢竟對于薄膜材料而言，殘余應(yīng)力的存在還是很普遍的，尤其是復(fù)相膜，由于CTE差異造成的應(yīng)力很多時候很明顯。原來分析的摻雜或者固溶，應(yīng)該都是在兩相的界面附近，可能會存在。置于AES和XPS，如果真的有固溶或者摻雜，應(yīng)該是可以測得出來的，當(dāng)然，需要高于檢測限。至于改變結(jié)論，我覺得不會影響拒稿。審稿本身就是對稿件內(nèi)容的評審，有錯誤的地方指出來才能改正，這個沒啥的。認真修改，引用下審稿人的相關(guān)領(lǐng)域文章。不過如果是歸結(jié)到應(yīng)力的話，建議算一下應(yīng)力大小，最好有一些理論深度，這樣會好中一些~~~個人意見，僅供參考~~~預(yù)祝文章早日接收~~~ |
18樓2017-08-10 03:28:54
2樓2017-06-19 17:47:53
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6樓2017-06-20 10:02:29
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7樓2017-06-20 11:13:26
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10樓2017-06-21 13:02:51
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