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半導體材料相關的,SiC濕氧氧化
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| 我是學習半導體器件方向的學生,在閱讀前人的文獻時,我發(fā)現(xiàn)SiC濕氧氧化制作MOS界面幾乎不存在缺點,那為什么工業(yè)上碳化硅的氧化進程大部分還是使用干氧氧化呢?可否有相關文獻或者書籍,讓我了解一下關于SiC濕氧氧化的缺點呢? |
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