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球王德布勞內(nèi)新蟲(chóng) (小有名氣)
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[求助]
請(qǐng)問(wèn)在做電容器的時(shí)候，測(cè)CV的時(shí)候氧化還原的峰在逐漸增大，因...
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請(qǐng)問(wèn)在做電容器的時(shí)候，測(cè)CV的時(shí)候氧化還原的峰在逐漸增大，因此物質(zhì)的電容也在增大。同樣的，在測(cè)GCD的時(shí)候，為啥電容會(huì)減小 @Gamry-電化學(xué) 發(fā)自小木蟲(chóng)Android客戶(hù)端 |
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好的問(wèn)題。CV中峰對(duì)應(yīng)的電容和GCD對(duì)應(yīng)的電容，某些情況對(duì)應(yīng)不一樣。請(qǐng)看下面鏈接了解更多牛人討論。https://www.google.com/amp/s/www ... lic_voltammetry/amp 發(fā)自小木蟲(chóng)IOS客戶(hù)端 |
2樓2017-09-03 21:04:36
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引用和Copy： George Zheng Chen 109.41 · University of Nottingham (UK and China Campues) Capacitance value can be determined from CV and GCD. For this purpose, the CV must be rectangular, and the GCD be linear (or triangular). Peak-shaped CV and non-linear GCD should not be used for capacitance analysis. The differential capacitance as mentioned above is useful for capacitance analysis in the context of supercapacitor only if the CV is rectangular. For using a rectangular CV and linear GCD, the simple equation below is used. C = Q/U where C is the capacitance, Q the charge passed for recording the CV or GCD. Note that in both cases, you can use either the Q value from forward or backward scan; or charging or discharging. However you can also use the total Q value derived from the area enclosed in the CV, and of course the total Q needs to be divided by 2. I shall point out that the CVs attached to your message are peak-shaped and hence not suitable for capacitance analysis. However, you may obtain a rectangular CV if you record your CV in a narrower potential range, e.g. between -0.1 V and -0.6 V. If so, you can use the above simple equation. 發(fā)自小木蟲(chóng)IOS客戶(hù)端 |
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3樓2017-09-03 21:06:59
球王德布勞內(nèi)
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送紅花一朵 |
首先，謝謝回復(fù)，但是沒(méi)太懂。我的東西吧，剛準(zhǔn)備做測(cè)試，然后一開(kāi)始測(cè)GCD，恒流充放電100次后，電容大小不變，然后我就繼續(xù)測(cè)CV100次，CV給出的氧化還原峰一直在增加，然后我就又繼續(xù)測(cè)GCD，此時(shí)，電容就增大了許多，這是為什么呢？ 發(fā)自小木蟲(chóng)Android客戶(hù)端 |
4樓2017-09-03 23:30:55
Gamry-電化學(xué)
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主要由于CV測(cè)試，引起活性材料表面發(fā)生變化。問(wèn)一下，CV的電位區(qū)間和GCD的分別是什么范圍。 發(fā)自小木蟲(chóng)IOS客戶(hù)端 |
5樓2017-09-06 23:43:52
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