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【專(zhuān)題】【2009.4.24：五】|★|金屬材料知識(shí)天天看|★|---研究方法或行業(yè)發(fā)展動(dòng)態(tài)
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金屬所學(xué)者提出提高材料綜合強(qiáng)韌性的新途徑 ——利用納米尺度共格界面強(qiáng)化材料 4月17日出版的《科學(xué)》發(fā)表特邀綜述論文，詳細(xì)闡述了利用納米尺度共格界面強(qiáng)化材料的研究成果，此項(xiàng)成果由中科院金屬所沈陽(yáng)材料科學(xué)國(guó)家（聯(lián)合）實(shí)驗(yàn)室盧柯研究員、盧磊研究員與美國(guó)麻省理工學(xué)院S. Suresh教授合作，在過(guò)去大量研究工作的基礎(chǔ)上完成。如何提高材料的強(qiáng)度而不損失其塑性？這是眾多材料科學(xué)家面臨的一個(gè)重大挑戰(zhàn)。 為了使材料強(qiáng)化后獲得良好的綜合強(qiáng)韌性能，強(qiáng)化界面應(yīng)具備三個(gè)關(guān)鍵結(jié)構(gòu)特征： (1)界面與基體之間具有晶體學(xué)共格關(guān)系； (2) 界面具有良好的熱穩(wěn)定性和機(jī)械穩(wěn)定性； (3) 界面特征尺寸在納米量級(jí)(<100nm)。 進(jìn)而，盧柯等研究人員提出了一種新的材料強(qiáng)化原理及途徑——利用納米尺度共格界面強(qiáng)化材料。 提高材料的強(qiáng)度是幾個(gè)世紀(jì)以來(lái)材料研究的核心問(wèn)題。迄今為止強(qiáng)化材料的途徑可分為四類(lèi)：固溶強(qiáng)化、第二相彌散強(qiáng)化、加工（或應(yīng)變）強(qiáng)化和晶粒細(xì)化強(qiáng)化。 這些強(qiáng)化技術(shù)的實(shí)質(zhì)是通過(guò)引入各種缺陷（點(diǎn)缺陷、線、面及體缺陷等）阻礙位錯(cuò)運(yùn)動(dòng)，使材料難以產(chǎn)生塑性變形而提高強(qiáng)度。但材料強(qiáng)化的同時(shí)往往伴隨著塑性或韌性的急劇下降，造成高強(qiáng)度材料往往缺乏塑性和韌性，而高塑韌性材料的強(qiáng)度往往很低。 長(zhǎng)期以來(lái)這種材料的強(qiáng)韌性 “倒置關(guān)系”成為材料領(lǐng)域的重大科學(xué)難題和制約材料發(fā)展的重要瓶頸。 傳統(tǒng)的材料強(qiáng)化技術(shù)多利用普通非共格晶界或相界阻礙位錯(cuò)運(yùn)動(dòng)來(lái)提高強(qiáng)度。當(dāng)材料中引入大量非共格晶界時(shí)，強(qiáng)度顯著提高（如納米晶體材料的強(qiáng)度較粗晶體材料高一個(gè)數(shù)量級(jí)），但隨著位錯(cuò)運(yùn)動(dòng)“阻礙物”（即非共格晶界）的不斷增多，晶格位錯(cuò)運(yùn)動(dòng)受到嚴(yán)重阻礙甚至被完全抑制而不能協(xié)調(diào)塑性變形，因此材料變脆。 共格晶界或相界是一類(lèi)特殊而常見(jiàn)的低能態(tài)界面，結(jié)構(gòu)特征是界面上的原子同時(shí)位于其兩側(cè)晶格的結(jié)點(diǎn)上，即界面兩側(cè)的晶格點(diǎn)陣彼此銜接，界面上的原子為兩者共有。一些共格晶界（如小角度傾側(cè)晶界）對(duì)位錯(cuò)運(yùn)動(dòng)的阻礙能力弱，因而不能有效地強(qiáng)化材料；而另一些共格或半共格晶界則可有效地阻礙位錯(cuò)運(yùn)動(dòng)，具有強(qiáng)化效應(yīng)，例如沉淀強(qiáng)化Al-Cu合金中的GP區(qū)和Ni基合金中的或沉淀相等。 但是，這些沉淀相中共格界面穩(wěn)定性低，當(dāng)沉淀相長(zhǎng)大后共格關(guān)系即消失；孿晶界是一種特殊的共格晶界，其兩側(cè)的晶格呈鏡面對(duì)稱(chēng)。 盡管研究表明在一些退火態(tài)合金中單個(gè)孿晶界對(duì)位錯(cuò)的阻礙作用與普通晶界相當(dāng)，但是由于孿晶界數(shù)量較少，其總體強(qiáng)化效應(yīng)遠(yuǎn)弱于其他強(qiáng)化機(jī)制（如固溶強(qiáng)化和細(xì)晶強(qiáng)化等）。 因此，長(zhǎng)期以來(lái)人們一直沒(méi)有將共格界面作為一種可有效強(qiáng)化材料的界面來(lái)加以利用。 然而，共格界面的獨(dú)特結(jié)構(gòu)使其具有一些特殊力學(xué)行為，部分共格界面（如孿晶界）既可阻礙位錯(cuò)運(yùn)動(dòng)，又可作為位錯(cuò)的滑移面在變形過(guò)程中吸納和儲(chǔ)存位錯(cuò)，因而對(duì)提高材料的韌塑性有貢獻(xiàn)。若能有效地提高共格界面的穩(wěn)定性，增加共格界面的密度，則可利用共格界面提高材料的強(qiáng)度，并同時(shí)提高其韌塑性。 盧柯等人研究發(fā)現(xiàn)，納米尺度孿晶界面具備上述強(qiáng)化界面的三個(gè)基本結(jié)構(gòu)特征。 他們利用脈沖電解沉積技術(shù)成功地在純銅樣品中制備出具有高密度納米尺度的孿晶結(jié)構(gòu)（孿晶層片厚度<100nm）。發(fā)現(xiàn)隨孿晶層片厚度減小，樣品的強(qiáng)度和拉伸塑性同步顯著提高。當(dāng)層片厚度為15nm時(shí)，拉伸屈服強(qiáng)度接近1.0 GPa（是普通粗晶Cu的十倍以上），拉伸均勻延伸率可達(dá)13%。 顯然，這種使強(qiáng)度和塑性同步提高的納米孿晶強(qiáng)化與其他傳統(tǒng)強(qiáng)化技術(shù)截然不同。 理論分析和分子動(dòng)力學(xué)模擬表明，高密度孿晶材料表現(xiàn)出的超高強(qiáng)度和高塑性源于納米尺度孿晶界與位錯(cuò)的獨(dú)特相互作用。例如當(dāng)一個(gè)刃型位錯(cuò)與一孿晶界相遇時(shí)，位錯(cuò)與孿晶界反應(yīng)可生成一個(gè)新刃型位錯(cuò)在孿晶層片內(nèi)滑移，同時(shí)可在孿晶界上產(chǎn)生一個(gè)新的不全位錯(cuò)，該位錯(cuò)可在孿晶界上滑移。當(dāng)孿晶層片在納米尺度時(shí)，位錯(cuò)與大量孿晶相互作用，使強(qiáng)度不斷提高。同時(shí)，在孿晶界上產(chǎn)生大量可動(dòng)不全位錯(cuò)，他們的滑移和貯存為樣品帶來(lái)高塑性和高加工強(qiáng)化。 由此可見(jiàn)，利用納米尺度孿晶可使金屬材料強(qiáng)化的同時(shí)也可提高韌塑性。 材料中納米尺度孿晶界可以通過(guò)多種制備技術(shù)獲得，如利用電解沉積、磁控濺射沉積、塑性變形或退火再結(jié)晶等工藝均可在金屬中產(chǎn)生納米尺度孿晶。 研究表明，沉積速率越快形成的孿晶層片越薄。如在脈沖電解沉積中當(dāng)沉積速度超過(guò)4nm/s時(shí)，Cu樣品中的平均孿晶層片小于20nm。 塑性變形誘發(fā)的孿晶在中低層錯(cuò)能材料（如Cu、Cu合金及不銹鋼等）十分普遍，提高應(yīng)變速率或降低變形溫度等均有助于孿晶形成。 盧柯等人近期發(fā)展的動(dòng)態(tài)塑性變形（DPD）技術(shù)可使材料中形成大量的納米尺度孿晶界，已成為制備塊狀納米孿晶結(jié)構(gòu)的有效途徑。利用納米尺度共格晶界強(qiáng)化材料還可以帶來(lái)優(yōu)異的電學(xué)性能。 研究表明，超高強(qiáng)度納米孿晶Cu樣品具有與無(wú)氧高純銅相當(dāng)?shù)母唠妼?dǎo)率，可同時(shí)實(shí)現(xiàn)高強(qiáng)度高導(dǎo)電性。納米孿晶結(jié)構(gòu)可有效降低Cu中電致原子的擴(kuò)散遷移率，從而大大降低電遷移效應(yīng)，這為減少微電子器件中銅線的電遷移損傷找到了新的解決途徑。 也有學(xué)者發(fā)現(xiàn)納米孿晶結(jié)構(gòu)可有效提高材料的阻尼性能，為研發(fā)高性能阻尼材料開(kāi)辟了新途徑。 利用納米尺度共格界面強(qiáng)化材料已成為一種提高材料綜合性能的新途徑。盡管在納米尺度共格界面的制備技術(shù)、控制生長(zhǎng)，及各種理化性能、力學(xué)性能和使役行為探索等方面仍然存在諸多挑戰(zhàn)，但這種新的強(qiáng)化途徑在提高工程材料綜合性能方面表現(xiàn)出巨大的發(fā)展?jié)摿蛷V闊的應(yīng)用前景。 文獻(xiàn)下載請(qǐng)祥見(jiàn)5樓mselxp貢獻(xiàn)的鏈接 大家談?wù)勀闼婕邦I(lǐng)域所用的強(qiáng)化機(jī)制，認(rèn)真回復(fù)重獎(jiǎng)！ [ Last edited by FLY_Phoenix on 2009-4-27 at 14:15 ] |
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xucz(金幣+2,VIP+0):共享資源，感謝��！ 4-25 13:35
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就樓主奉獻(xiàn)的信息 我給盧院士發(fā)了封索要原文的郵件，他很熱情的給我了，在此奉獻(xiàn)給大家一起學(xué)習(xí) 地址http://www.namipan.com/d/Strengt ... 9adad056a1c7a8d0300 |
5樓2009-04-25 03:09:04
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