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zhangletao1986金蟲 (小有名氣)
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[交流]
【求助】為什么本征的InSb、InAs是n型半導(dǎo)體？
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而非摻雜的GaAs是非n非p的，還是也是n型的？ 以前一直感覺非摻雜的半導(dǎo)體應(yīng)該是非n非p的，只有在摻雜后才會引入非平衡的載流子。 請懂半導(dǎo)體的蟲子賜教。 |
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2樓2009-04-26 08:41:27
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3樓2009-04-26 08:57:55
zhangletao1986
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4樓2009-04-26 09:22:06
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5樓2009-04-26 19:30:38
★ ★ ★ ★
zhangletao1986(金幣+2,VIP+0):感覺你說的挺有道理的，thank you. 4-27 08:03
dawnlight(金幣+2,VIP+0):3x,感謝分享~，歡迎常來 4-27 09:23
zhangletao1986(金幣+2,VIP+0):感覺你說的挺有道理的，thank you. 4-27 08:03
dawnlight(金幣+2,VIP+0):3x,感謝分享~，歡迎常來 4-27 09:23
| 本人不是做試驗的，所以不是特別清楚實際材料情況，不過這個可以在理論上解釋的，不妥之處請高人再指點。InSb等化合物材料是窄禁帶的，GaAs等是寬禁帶的，這個不同會很大不同的。關(guān)于本征InSb顯示n型特性，應(yīng)該是實際材料的體現(xiàn)。理論上純材料（也就是本征材料）應(yīng)該是非n非p的，但是實際的材料絕對會有雜質(zhì)和缺陷的，當(dāng)摻雜所產(chǎn)生的載流子在工作溫度下占主要時，就會是n型或者是p型，當(dāng)溫度足夠高（超過工作溫度了），這是本征載流子掩蓋了雜質(zhì)載流子，那么就是宏觀上的非n非p。對于樓主所說本征顯示n型，我認(rèn)為應(yīng)該從表面態(tài)和缺陷或者少量雜質(zhì)來考慮，以缺陷為例，如果是空位的話，就會有懸掛鍵出現(xiàn)，這時候就會有多余的電子出現(xiàn)。以表面態(tài)為例，如果表面態(tài)是施主態(tài)，那么也就會提供電子。當(dāng)然這些分析都是要考慮溫度的影響的。 |
6樓2009-04-27 02:18:02
7樓2009-04-27 02:26:05
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