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中國科學(xué)院微電子研究所-先導(dǎo)中心-朱慧瓏課題組招聘高級工程/副研究員和工藝工程師
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中國科學(xué)院微電子研究所朱慧瓏課題組擬招聘高級工程師/副研究員和工藝工程師各一名。 高級工程師/副研究員 要求: 1) 工作態(tài)度認(rèn)真負(fù)責(zé)/做事積極主動/有較強的學(xué)習(xí)、理解、創(chuàng)造、獨立思考及溝通協(xié)調(diào)能力; 2)能熟練閱讀相關(guān)中英文獻(xiàn)/有自主分析解決問題的能力; 3)熟悉和喜愛集成電路制造工藝/具有半導(dǎo)體工藝開發(fā)經(jīng)驗者優(yōu)先考慮。 4)有集成電路器件研發(fā)經(jīng)驗優(yōu)先考慮。 5)微電子或物理/化學(xué)/化工等,碩士及以上 職責(zé): 1)負(fù)責(zé)集成電路/半導(dǎo)體工藝流程開發(fā),及后續(xù)的工藝整合及優(yōu)化; 2)協(xié)助分析器件、工藝和版圖設(shè)計方案,以及相關(guān)測試結(jié)果。 3)熟悉工藝制程及其他相關(guān)制程。 4)負(fù)責(zé)先進(jìn)半導(dǎo)體器件工藝的調(diào)研及研發(fā)。 工藝工程師 要求: 1)工作態(tài)度認(rèn)真負(fù)責(zé)/做事積極主動/有較強溝通能力; 2)能熟練閱讀相關(guān)中英文獻(xiàn)/有自主分析解決問題的能力; 3)熟悉和喜愛集成電路制造工藝/具有半導(dǎo)體工藝開發(fā)經(jīng)驗者優(yōu)先考慮。 4)有集成電路器件研發(fā)經(jīng)驗優(yōu)先。 5)微電子或物理/化學(xué)/化工等,本科及以上 職責(zé): 1)負(fù)責(zé)集成電路/半導(dǎo)體工藝流程開發(fā),及后續(xù)的工藝整合及優(yōu)化; 2)協(xié)助分析器件、工藝和版圖設(shè)計方案,以及相關(guān)測試結(jié)果。 3)熟悉工藝制程及其他相關(guān)制程 簡歷投遞至:zhangyongkui@ime.ac.cn;jiakunpeng@ime.ac.cn 問題咨詢: hr@ime.ac.cn 課題組長簡介: 朱慧瓏研究員1982年學(xué)士畢業(yè)于中國科技大學(xué)物理系,1988年于北京師范大學(xué)獲博士學(xué)位,專業(yè)均為物理。他是中科院微電子所集成電路先導(dǎo)工藝研究中心首席科學(xué)家、國家及中國僑聯(lián)特聘專家,長期從事集成電路關(guān)鍵工藝技術(shù)先導(dǎo)及應(yīng)用研究,現(xiàn)任中國科學(xué)院微電子研究所研究員,博士生導(dǎo)師,目前專注解決3nm及以下技術(shù)代晶體管器件結(jié)構(gòu)和制造工藝的工程科學(xué)問題,重視研究面向生產(chǎn),擁有已授權(quán)美國專利530多項, 多項專利被廣泛用于產(chǎn)品制造。1990年至2009年,先后在美國Argonne國家實驗室、UIUC、DEC、Intel、IBM等任職,曾是IBM全公司2007年度4名引領(lǐng)發(fā)明家(Leading Inventor)之一;IBM發(fā)明大師(Master Inventor);獲IBM優(yōu)秀專利獎兩次和IBM公司發(fā)明成就獎51次。 2009年回國后朱博士先后擔(dān)任國家重大專項02專項 “22納米關(guān)鍵工藝技術(shù)先導(dǎo)研究與平臺建設(shè)”和“16-14納米基礎(chǔ)技術(shù)研究”項目首席專家,領(lǐng)導(dǎo)了22-14納米技術(shù)代關(guān)鍵工藝技術(shù)先導(dǎo)研發(fā),在國內(nèi)首次完成了原型器件的研發(fā)并建立了較系統(tǒng)的高質(zhì)量專利組合,曾先后獲得“中國科學(xué)院杰出科技成就獎”、“第十七屆中國專利獎優(yōu)秀獎”、“北京市科學(xué)技術(shù)獎一等獎”、“中國電子學(xué)會科學(xué)技術(shù)獎技術(shù)發(fā)明類一等獎”和“第十九屆中國專利獎優(yōu)秀獎”,并連續(xù)8年被評為微電子所“研究生喜愛的導(dǎo)師”。 ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() [ 來自版塊群 北京 ] |
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