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陳勇躍金蟲 (正式寫手)
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[交流]
【求助】c-v曲線分析 50金幣
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半導(dǎo)體的費(fèi)米能級(jí)彎曲是什么意思?如何定性分析mos結(jié)構(gòu)的電容電壓曲線,每一段曲線的意思是什么? [ Last edited by 陳勇躍 on 2009-5-10 at 21:55 ] |
木蟲 (小有名氣)
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一般來講,半導(dǎo)體的費(fèi)米能級(jí)隨溫度和摻雜濃度變化,不是一個(gè)常數(shù),只有溫度和載流子濃度一定時(shí),費(fèi)米能級(jí)才是常數(shù)。 電容電壓特性,由于MOS結(jié)構(gòu)的特性,分為電荷積累,耗盡和反型狀態(tài),電壓小于0為積累,從0到一定的值(<2Vb)時(shí),為耗盡,當(dāng)電壓>2Vb時(shí),為反型,具體的內(nèi)容可參見劉恩科的《半導(dǎo)體物理》 |
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沒理解錯(cuò)的話樓主說的半導(dǎo)體費(fèi)米能級(jí)彎曲是指不同半導(dǎo)體接觸導(dǎo)致的彎曲,這是由于不同半導(dǎo)體費(fèi)米能級(jí)不同,而接觸后電子能量即不同半導(dǎo)體的費(fèi)米能級(jí)要趨于相同水平,這種趨勢(shì)使得高能級(jí)被拉低而低能級(jí)被提高,從而造成了能帶彎曲~ 至于對(duì)MOS曲線的詳細(xì)分析可參考一般的電子技術(shù)書籍~ |
金蟲 (小有名氣)
金蟲 (正式寫手)
金蟲 (正式寫手)
木蟲 (著名寫手)

捐助貴賓 (知名作家)
榮譽(yù)版主 (知名作家)
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理想MOS結(jié)構(gòu)的C-V曲線分為3個(gè)區(qū):積累區(qū),耗盡區(qū)和反型層。但是它也受到測(cè)量頻率的影響,在低頻時(shí)可能出現(xiàn)強(qiáng)反型層,高頻時(shí)是一種類似臺(tái)階的曲線。 實(shí)際情況下,由于金屬材料與半導(dǎo)體材料之間的功函數(shù)不同,MOS結(jié)構(gòu)的C-V特性可能向左或向右移動(dòng)。另外,由于絕緣層存在的固定或可動(dòng)的電荷,曲線也會(huì)向左或向右移動(dòng)。 可以看一些半導(dǎo)體方面的書籍,里面或多或少都有講這方面的知識(shí) |

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