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【求助】多金幣求金屬—半導體界面歐姆接觸的原理測試與工藝 一書 已有1人參與
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求金屬—半導體界面歐姆接觸的原理測試與工藝一書， 簡單信息 出版：上海交通大學出版社 分類：TN407 形態(tài)：216 頁 - 70 章節(jié) 全文目錄 第1章 歐姆接觸理論 1．1金屬—半導體接觸 1．2電流輸運機理 1．3輸運方程 1．3．1場發(fā)射機理的電流—電壓關系 1．3．2熱電子場發(fā)射機理 1．4歐姆接觸電阻的計算公式 1．5一些常用半導體歐姆接觸電阻的計算機計算結果 1．6對Chang等理論（CFS）理論的修正 1．7其他歐姆接觸理論 1．7．1異質結歐姆接觸理論 1．7．2無定形—晶形漸變結理論 第2章 比接觸電阻測試方法 2．1比接觸電阻測試的電路方框圖 2．2歐姆接觸電阻的測量方法 2．2．1體材料上歐姆接觸的測試方法 2．2．2薄層材料歐姆接觸測試方法 2．3各測試方法的比較 第3章 歐姆接觸的冶金學基礎 3．1金屬—半導體界面的冶金學特征 3．2薄膜互擴散 3．2．1概述 3．2．2擴散阻擋層 3．2．3薄膜互擴散的氣氛效應 3．3薄膜間的相變反應 3．4化合物半導體在金屬—半導體界面的分解 3．5薄膜界面互擴散和相變對金屬—半導體接觸電學性能的影響 3．6電遷移 3．6．1電遷移現象 3．6．2平均失效時間 3．6．3影響電遷移的因素 3．6．4改善電遷移抗力的途徑 第4章 硅的歐姆接觸工藝 4．1Al歐姆接觸 4．1．1Al作為歐姆接觸材料的特點 4．1．2Al/p-Si歐姆接觸的形成 4．1．3Al/n-Si歐姆接觸的形成 4．1．4Al/Si歐姆接觸存在問題 4．2Al合金歐姆接觸 4．2．1Al-Si合金歐姆接觸 4．2．2Al-Cu及Al-Si-Cu歐姆接觸及互連線 4．3帶有擴散阻擋層的多層歐姆接觸 4．3．1Al/多晶硅雙層歐姆接觸 4．3．2帶有碳化物和氮化物阻擋層的歐姆接觸 4．4硅化物歐姆接觸 4．4．1硅化物及其歐姆接觸的形成 4．4．2硅化物形成時的雜質再分布現象 4．4．3硅化物歐姆接觸的結構 4．5其他金屬歐姆接觸 第5章 Ⅲ-Ⅴ族化合物半導體的歐姆接觸工藝 5．1對歐姆接觸的要求 5．2n型GaAs歐姆接觸熱合金化工藝 5．3其他n型Ⅲ-Ⅴ族化合物半導體的歐姆接觸 5．4p型歐姆接觸 5．5新工藝 5．5．1不合金化工藝 5．5．2分子束外延工藝制備歐姆接觸 5．5．3離子注入工藝制備歐姆接觸 5．5．4瞬時合金化工藝制備歐姆接觸 第6章 歐姆接觸模型 6．1問題的提出 6．2Popovic的理論模型 6．3Braslau提出的模型 6．4Heiblum等的模型 6．5吳鼎芬等提出的模型 6．5．1實驗事實 6．5．2模型的主要點 6．5．3模型與文獻上現有實驗結果的比較 6．5．4對文獻上實驗結果的解釋 6．6Gupta等的模型 |
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