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[交流]
【求助】關(guān)于晶體硅擴(kuò)散死層
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請教大家一下，晶體硅太陽能電池中擴(kuò)散死層是怎么形成的，怎樣去判斷形成的P-N結(jié)是不是好的，是不是有死層？ 還有就是說通過擴(kuò)散前氧化可以減少死層的形成，這是什么原理 |
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ddx-k(金幣+3,VIP+0):謝謝你的總結(jié)。 7-24 18:30
han0406105(金幣+3,VIP+0):謝謝 7-24 19:16
ddx-k(金幣+3,VIP+0):謝謝你的總結(jié)。 7-24 18:30
han0406105(金幣+3,VIP+0):謝謝 7-24 19:16
| 大家的交流使我對“死層”有了更深刻的理解，死層產(chǎn)生的原因，userhung版主已經(jīng)解釋很清楚了，對于n＋/p常規(guī)硅太陽能電池的發(fā)射區(qū)一般是通過P擴(kuò)散形成的淺結(jié)區(qū)域，由于在擴(kuò)散區(qū)P處于晶格間隙位置，容易引起晶格畸變，而且由于P與Si的原子半徑不匹配，也容易出現(xiàn)失配，因此該區(qū)域活性比較大，容易吸引雜質(zhì)，會成為少數(shù)載流子的復(fù)合中心，從而降低少子壽命，一般把發(fā)射結(jié)深做的淺一點(diǎn)0.1um可以避免這種現(xiàn)象，但是這樣會增大串聯(lián)電阻。死層的存在是無法避免的，只能通過一定的工藝減少死層的產(chǎn)生，透氧化層P擴(kuò)散是方法之一（先形成氧化層，再進(jìn)行P擴(kuò)散），原因ddx-k版主已經(jīng)解釋清楚了。 |
6樓2009-07-24 17:07:32
userhung
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10樓2009-08-03 15:02:27
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