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lithofab新蟲 (正式寫手)
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[交流]
關(guān)于薄膜應力測量 已有1人參與
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測量薄膜內(nèi)應力的方法大致可分為機械法、干涉法和衍射法三大類。前兩者為測量基體受應力作用后彎曲的程度，稱為曲率法；后者為測量薄膜晶格常數(shù)的畸變。 一、曲率法 假設(shè)薄膜應力均勻，即可以測量薄膜蒸鍍前后基體彎曲量的差值，求得實際薄膜應力的估計值，其中膜應力與基體上測量位置的半徑平方值、膜厚及泊松比 (Poisson's ratio) 成反比；與基體楊氏模量 (Es，Young's modulus)、基體厚度的平方及蒸鍍前后基體曲率（1/R）的相對差值成正比。利用這些可測量得到的數(shù)值，可以求得薄膜殘余應力的值。 二、X射線衍射法 以X射線衍射儀測量應力或應變，是利用Bragg 衍射公式求出薄膜結(jié)構(gòu)中微晶體晶面間距的變化來測定的。通常借著薄膜平面 (film plane) 晶格常數(shù)而獲得薄膜應力值。因為在應力作用下，晶格會發(fā)生畸變，從而使晶格常數(shù)發(fā)生變化，因此測量晶格畸變可以計算出薄膜的應力。 敝司自主研發(fā)薄膜應力測試儀，薄膜應力量測設(shè)備在直徑4英寸至12英寸的各種薄膜和襯底上進行精確的應力測量，并且可以測量不規(guī)則樣片。 性能同KLA對標。 可以進行測定和分析薄膜引起的表面應力以及各種綜合應力測量解 決方案，有助于進行故障排除： •鋁應力誘導空洞 •鈍化開裂 •硅中的應力誘發(fā)位錯 •氧化物的應力增加 •高薄膜應力導致的硅開裂 |
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2樓2022-03-31 13:49:38
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