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復(fù)旦大學(xué)芯片與系統(tǒng)前沿技術(shù)研究院-新型電子信息器件方向招博士/碩士1-2名
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1.院系簡介: 復(fù)旦大學(xué)芯片與系統(tǒng)前沿技術(shù)研究院于2020年1月正式成立,是復(fù)旦大學(xué)整合相關(guān)優(yōu)勢學(xué)科,面向國家重大戰(zhàn)略需求,籌建的校級跨學(xué)科實(shí)體研究機(jī)構(gòu)。研究院致力于未來信息技術(shù)中顛覆性器件、關(guān)鍵計(jì)算、存儲(chǔ)芯片與系統(tǒng)的聯(lián)合攻關(guān),重點(diǎn)開展后摩爾電子器件、新型存儲(chǔ)技術(shù)及應(yīng)用、新型計(jì)算技術(shù)及系統(tǒng)與異質(zhì)集成技術(shù)方向的研究。重點(diǎn)突破集成芯片基礎(chǔ)理論、關(guān)鍵技術(shù)、重點(diǎn)應(yīng)用,持續(xù)推動(dòng)存算一體集成芯片、可擴(kuò)展集成芯片互連、集成芯片設(shè)計(jì)方法學(xué)及自動(dòng)化軟件等研究。 研究院坐落于江灣校區(qū),配置6500平米辦公與實(shí)驗(yàn)空間、芯片與系統(tǒng)公共技術(shù)平臺(含千級凈化區(qū)域800平方米),學(xué)院具有世界一流水平的軟硬件集成平臺、國際先進(jìn)的相關(guān)設(shè)備,具有優(yōu)良的器件/芯片/系統(tǒng)的設(shè)計(jì)、制備與測試條件。 2.導(dǎo)師簡介: 向都,復(fù)旦大學(xué)青年研究員,博士生導(dǎo)師,入選國家和上海市海外高層次人才引進(jìn)項(xiàng)目。2015年于新加坡國立大學(xué)物理系獲得博士學(xué)位,2016至2020年于新加坡國立大學(xué)化學(xué)系進(jìn)行博士后研究。2020年12月加入復(fù)旦大學(xué),主要從事新型低維邏輯晶體管、非易失性存儲(chǔ)、存算一體及神經(jīng)形態(tài)器件研究。近五年以(共同)第一/通訊作者在國內(nèi)外重要學(xué)術(shù)期刊上發(fā)表論文20余篇,包括Nat. Nanotechnol.、Nat. Electron.,Nat. Commun.、Adv. Mater.、Nano Lett.等,研究成果得到國際權(quán)威專家的高度評價(jià)。研究院經(jīng)費(fèi)充足,擁有超過800平方米的千級超凈間,微納器件制備與表征設(shè)備齊全,可支持組內(nèi)成員研究課題的順利開展。 3. 研究方向: (1) 低維材料生長合成 (1) 邏輯晶體管與非易失性存儲(chǔ)器件 (2) 存算一體與神經(jīng)形態(tài)器件 4. 申請條件: (1) 已獲得或即將獲得微電子、材料、物理、化學(xué)等相關(guān)學(xué)科本科或碩士學(xué)位;具有低維器件制備與表征經(jīng)驗(yàn)者優(yōu)先; (2) 具有良好英語基礎(chǔ),以第一作者或?qū)煹谝蛔髡弑救说诙髡咴谟⑽钠诳l(fā)表學(xué)術(shù)論文者優(yōu)先考慮。 (3) 團(tuán)隊(duì)合作意識強(qiáng),具有認(rèn)真負(fù)責(zé)的工作態(tài)度,積極創(chuàng)新的科研熱情。 5. 申請方式: 請有意申請者將個(gè)人簡歷、代表性學(xué)術(shù)成果等材料郵件發(fā)送至xiang_du@fudan.edu.cn 附復(fù)旦大學(xué)芯片與系統(tǒng)前沿技術(shù)研究院主頁 https://fics.fudan.edu.cn/ |
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