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bosezi木蟲 (正式寫手)
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[交流]
【求助】氧空位缺陷降低了功函數(shù)如何做出定性的解釋
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最近一個(gè)試驗(yàn)現(xiàn)象，發(fā)現(xiàn)氧空位缺陷降低了功函數(shù)，能否請(qǐng)教大家如何做出定性的解釋。謝謝 [ Last edited by ddx-k on 2009-10-12 at 20:58 ] |
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bosezi(金幣+1):謝謝參與
bosezi(金幣+1):謝謝參與
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各位關(guān)于功函數(shù)的理解，感覺還有些問題。 功函數(shù)主要是表面特性。取決于表面真空能級(jí)與費(fèi)米能級(jí)的差。費(fèi)米能級(jí)的變化是一方面，更重要的表面真空能級(jí)的變化。也就是表面偶極層的變化導(dǎo)致了功函數(shù)的變化。所以應(yīng)重點(diǎn)考慮表面氧空位。 至于判斷O是施主，很武斷。另外施主導(dǎo)致費(fèi)米能級(jí)上升也是值得商榷的事情。 大家多多討論交流。 zha_gq@hotmail.com |
10樓2009-10-16 10:33:43
tan-tt
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小木蟲:)(金幣+1,VIP+0):3x 10-16 16:18
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另外，功函數(shù)看是用什么方法測(cè)得的？UPS，還是開爾文探針？ 功函數(shù)降低應(yīng)該是因?yàn)�，表面的O空位缺陷破壞了原來的表面電偶極層。相關(guān)的基本的解釋，推薦一篇文章，這里面講得比較透徹。 D. Cahen and A. Kahn, "Electron Energetics at Surfaces and Interfaces:Concepts and. Experiments", Advanced Materials vol. 15 (2003) p. 271 |
11樓2009-10-16 10:46:45
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