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| 【獎(jiǎng)勵(lì)】 本帖被評(píng)價(jià)4次，作者Leanne8569增加金幣 2.75 個(gè) | ||
[資源]
【資源】氧化鋁模板的發(fā)展史
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AAO的演變史 最初的氧化鋁模板是利用純鋁片陽(yáng)極氧化而得到的，氧化鋁模板因其具有的以為有序性而得到了廣泛的應(yīng)用，尤其是二次氧化的提出使得科學(xué)界對(duì)它的研究達(dá)到了高潮，氧化鋁模板一般都是用來(lái)生長(zhǎng)陣列或者長(zhǎng)量子點(diǎn)以及做生物微電極； 用傳統(tǒng)的直接用純鋁片制備氧化鋁模板的缺點(diǎn)在于：氧化鋁膜是脆性的，隨著科學(xué)發(fā)展的需要，人們希望得到不同厚度的鋁模板，那么，當(dāng)要求它很薄的時(shí)候比方說(shuō)只有幾百納米時(shí)，氧化鋁膜在較軟的鋁片上易碎；特別是將氧化鋁模板做納米復(fù)制的時(shí)候，過(guò)程較為繁瑣，更不能很好的保護(hù)氧化鋁膜的完整性，這些缺點(diǎn)極大地限制了它的應(yīng)用。由此，人們提出了在襯底材料上先沉積上一定厚度的鋁膜，再做陽(yáng)極氧化，這樣就可以改變沉底材料，滿足不同的要求，比如說(shuō)改變了襯底的硬度，很好的保護(hù)了氧化鋁膜，使其更好的得到應(yīng)用。于是在硅片上濺射或者蒸發(fā)上鋁膜引起了一陣熱潮，但是這有面臨著很多的問(wèn)題； 首先所要解決的問(wèn)題就是，如果單純的硅片上沉積鋁膜，那么后期的陽(yáng)極氧化實(shí)驗(yàn)不好開展，因?yàn)殛?yáng)極氧化是電化學(xué)實(shí)驗(yàn)，這種情況下不好引線，另外一方面，也是最重要的一方面就是，即使上述問(wèn)題解決的了，這種方法也不能得到膜厚超過(guò)1µm的氧化鋁膜，因?yàn)槿舳窝趸匿X層厚度超過(guò)這個(gè)界限，二次氧化后的氧化鋁膜會(huì)從硅片上脫落下來(lái)。 于是乎，人們就開始想辦法如何解決。于是，人們先在硅片上沉積上一層金屬導(dǎo)電層，這些作為金屬導(dǎo)電層的金屬一般有：Pt，Au，Cu等導(dǎo)電性能良好的貴金屬，以方便后期的電化學(xué)實(shí)驗(yàn)的開展，但是這樣的改進(jìn)有出現(xiàn)了新的問(wèn)題，金屬層容易從硅片上脫落下來(lái)，那么該如何提高金屬導(dǎo)電層與硅片底層之間的結(jié)合呢？于是人們想到了在金屬導(dǎo)電層與硅片之間鍍上一層過(guò)渡層，以使得各膜層直接更好的結(jié)合，實(shí)驗(yàn)的結(jié)果很好的證明了這種想法的正確性。一般作為過(guò)渡層的有：Ta，Ti，W，Nb，TiN。 AAO模板的研究還在繼續(xù)，我們期待著將來(lái)質(zhì)的飛躍。 |
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