2樓
軟件：VASP
體系：isopropanol-alumina約50個原子
機器：2U
內(nèi)容：吸附
時間：1天
3樓
軟件：castep
體系：LaB6
機器：四核，4G內(nèi)存
內(nèi)容：態(tài)密度
時間：1天
4
軟件：VASP
體系：Ni表面（36個原子）
機器：4核   8G內(nèi)存
內(nèi)容：結構優(yōu)化
時間：15個小時以內(nèi)
5
軟件：CASTEP
體系：Mo(001)/O2體系
機器：單核，1G內(nèi)存
內(nèi)容：吸附（頂位，橋位，穴位）
時間：平均約每個位置3天
6
軟件：wien2k
體系：23個原子體系
機器：單核，1G內(nèi)存
內(nèi)容：結構優(yōu)化
時間：1天
7
軟件：CASTEP
體系：Ga2O3
機器：雙核，2G內(nèi)存
內(nèi)容：能帶結構，態(tài)密度
時間: 一天
8
軟件：CASTEP
體系：ZnO表面
機器：16核32G內(nèi)存
內(nèi)容：表面能，4層72個原子
時間：八天
9
軟件：VASP
體系：BiFeO3表面
機器：8核32G內(nèi)存
內(nèi)容：DOS
時間：1天
10
軟件：VASP
體系：Ti-Ali界面面（128個原子）
機器：4核   2G內(nèi)存（并行2個節(jié)點）
內(nèi)容：計算界面能，功函數(shù)，態(tài)密度等等
時間：1～2個星期
11
軟件：ABINIT
體系：Mg2Si
機器：PC機 512M內(nèi)存
內(nèi)容：能帶結構、光學性能、電荷密度
時間：一周左右（包括收斂測試，能帶計算，光學性能計算，并不是持續(xù)運行，而且計算精度不是很高）
12
軟件：MS-GULP
體系：氧化鋁菱方單胞摻雜
機器：雙核   1.5G內(nèi)存
內(nèi)容：幾何優(yōu)化，動力學等
時間：幾何優(yōu)化幾分鐘即可完成 【剛做完幾個】
建議大家留下聯(lián)系方式，以便于進一步的聯(lián)系
先留下我的郵箱：
fyhxuan82@126.com，歡迎進行無機非金屬陶瓷材料----組織結構----分子動力學模擬的朋友與我聯(lián)系
13
軟件：VASP
體系：堿金屬+過渡+主族金屬體系(約250個原子)
機器：8核12G內(nèi)存
內(nèi)容：總能
時間：2天
14
軟件：VASP
體系：ZnO
機器：2核2G內(nèi)存
內(nèi)容：能帶結構、磁性（自旋電荷密度等）
時間：56小時
15
軟件：MS  VASP
體系：過渡金屬+CeO2
內(nèi)容：幾何優(yōu)化，電子態(tài)密度分析
時間：2天
留下QQ號碼：313930009，歡迎各位同行進一步聯(lián)系，以便于互相學習，共同進步！
16
軟件：castep
體系：10個原子的體系
機器：2核2g內(nèi)存
內(nèi)容：結構優(yōu)化，bandstructure，DOS
時間：大約32個小時
17空
18
軟件：castep
體系：CaCu3Ti4O12
機器：4核，4G內(nèi)存
內(nèi)容：結構優(yōu)化，能帶結構，態(tài)密度，布居分析
時間：10個小時
19空
20
軟件：MS  VASP
體系：銅鋁合金
機器：4核，4G內(nèi)存
內(nèi)容：結構優(yōu)化，能帶結構，態(tài)密度，
時間：單胞及小時，超胞可能十幾小時
21
軟件：gaussian03
體系：Mn+N20+C6H6體系的化學反應過程
機器：3節(jié)點 紅劍公司集群
內(nèi)容：結構優(yōu)化+頻率+能量
時間：10個小時以內(nèi) 一個結構
22
軟件：MS  dmol
體系：PT（111）表面 吸附 甲醇
機器：8核，8G內(nèi)存 工作站
內(nèi)容：結構優(yōu)化，頻率，能量，態(tài)密度，
時間：1天左右 一個結果
23
軟件：MS  VASP
體系：鋁銅合金
機器：4核，4G內(nèi)存
內(nèi)容：電子結構，力學性能
時間：十幾天 一個體系
24
軟件：gamess
體系：Feo+CH4 勢能面交叉幾率
機器：單機 1G內(nèi)存 2核
內(nèi)容：交叉幾率（socc）
時間：基組適中 4小時 可以搞定
25
軟件：CASTEP
體系：ZnO攙雜
機器：2核   2G內(nèi)存
內(nèi)容：能帶結構，光學性質(zhì)，態(tài)密度等等
時間：單包幾個小時，超包十幾個小時以上
26
軟件：MS  VASP
體系：半導體摻雜
機器：集群
內(nèi)容：結構優(yōu)化，能帶結構，態(tài)密度，
時間：幾天或者半個月
27
軟件：MS
體系：ZnO
機器：2核4G內(nèi)存
內(nèi)容：能帶結構、磁性（自旋電荷密度等）態(tài)密度
時間：一天
28
vasp軟件
4核 4G內(nèi)存
體系AlCu3（001）面功函數(shù)計算
6個重復單元，13層共26個原子
幾何優(yōu)化24小時
29
軟件：VASP
體系：Ti合金（16個原子）
機器：4核   4G內(nèi)存
內(nèi)容：結構優(yōu)化
時間：10個小時
30
軟件：CASTEP
體系：半導體摻雜（36個原子）
機器：4核，8g內(nèi)存（可能只用到4g）
內(nèi)容：結構優(yōu)化（精度較高）
時間：100小時
31
軟件：castep
體系：ZnO摻雜In
機器：四核，4G內(nèi)存
內(nèi)容：能帶結構，態(tài)密度，光學性質(zhì)
時間：2天
32
軟件：CASTEP
體系：BiCoO3
機器：16核32G內(nèi)存
內(nèi)容：計算電子結構性質(zhì)，考慮自旋極化
時間：1天
33
discover\forcite
機器：四核，4G內(nèi)存
內(nèi)容：動力學模擬分析
時間：（體系原子數(shù)密切相關）我的約2-3天。
34
軟件：CASTEP
體系：SnO22*2*1超胞
機器：4核8CPU、8G內(nèi)存
內(nèi)容：摻雜 電子結構能帶態(tài)密度
時間：平均3天左右
35
軟件：VASP
體系：Mg-Zn表面
機器：4核PC、4G內(nèi)存
內(nèi)容：摻雜 電子結構能帶態(tài)密度
時間：1～2周左右
36
軟件：CASTEP
體系：NaMgH
機器：2核CPU、1G內(nèi)存
內(nèi)容：摻雜 電子結構能帶態(tài)密度
時間：3天左右
37
軟件：CASTEP
體系：Si Ge 納米線 20atom
機器：AMD2核CPU、2G內(nèi)存
內(nèi)容：幾何優(yōu)化
時間：1天左右
38
軟件：MS  等
體系：分子團簇
機器：超算1個節(jié)點（4核）
內(nèi)容：結構優(yōu)化等
時間：一個30個原子的分子需要1個月搞定
39
軟件：VASP
體系：Ir表面（44個原子）
機器：4核 4G內(nèi)存
內(nèi)容：結構優(yōu)化，表面能，功函數(shù)
時間：2天
40
軟件：MS discover
體系：氧化鈦+RGD(三肽)/GRGDSP(六肽)  
         HA(羥基磷灰石)+RGD(三肽)/GRGDSP(六肽)
機器：計算機組
內(nèi)容：幾何優(yōu)化，分子動力學計算等
時間：2～3天
41
軟件：Gauss
體系：GaUSSO3
機器：雙核，2G內(nèi)存
內(nèi)容：結構優(yōu)化，能壘
時間: 一天
42
軟件：wien2k
體系：ZrH2
機器：4核   8G內(nèi)存（并行4個節(jié)點）
內(nèi)容：E-V curve
時間：1～2 hours
43
軟件：VASP
體系：Ni表面（48個原子）
機器：4核   8G內(nèi)存
內(nèi)容：結構優(yōu)化
時間：20個小時以內(nèi)
44
軟件：DMOL3
體系：SiO2-quarz 32個原子
機器：intel i970，物理四核，邏輯八核，12G內(nèi)存
內(nèi)容：GGA結構優(yōu)化，DOS
時間：42分鐘

軟件：CASTEP
體系：過渡金屬氧化物 48個原子
機器：intel i970，物理四核，邏輯八核，12G內(nèi)存
內(nèi)容：GGA結構優(yōu)化，DOS
時間：4小時

軟件：CASTEP
體系：過渡金屬氧化物 48個原子（同上）
機器：intel i970，物理四核，邏輯八核，12G內(nèi)存
內(nèi)容：sX結構優(yōu)化
時間：十天后計算崩潰
… …

Originally posted by zzy870720z at 2011-03-15 08:25:10:
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