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Taoker鐵蟲 (初入文壇)
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[調(diào)劑信息]
深圳大學(xué)-應(yīng)用技術(shù)學(xué)院(深圳技術(shù)大學(xué))光電信息工程專碩招收調(diào)劑
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| 學(xué)校: | 深圳大學(xué) |
| 專業(yè): | 工學(xué)->電子科學(xué)與技術(shù) |
| 年級: | 2024 |
| 招生人數(shù): | 1 |
| 招生狀態(tài): | 正在招生中 |
| 聯(lián)系方式: | ********* (為保護個人隱私,聯(lián)系方式僅限APP查看) |
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本次招生是深圳技術(shù)大學(xué)依托深圳大學(xué)應(yīng)用技術(shù)學(xué)院進行的招生,實際培養(yǎng)單位為深圳技術(shù)大學(xué),文憑為深圳大學(xué)。 本貼招生學(xué)院為深圳技術(shù)大學(xué)集成電路與光電芯片學(xué)院。 關(guān)于我校調(diào)劑招生詳細信息,請參看鏈接:http://www.gaoyang168.com/t-16135191-1 導(dǎo)師信息: 劉才,深圳技術(shù)大學(xué)集成電路與光電芯片學(xué)院,副教授。東京大學(xué)先端科技研究所工學(xué)博士。2015年起先后于四川大學(xué)、南方科技大學(xué)、深圳國際量子研究院任副研究員、研究副教授、研究員,深圳市海外高層次人才C類。長期從事硅基化合物半導(dǎo)體外延生長、光電材料與器件、量子材料物性等研究,聚焦于硅基紅外光電材料外延與器件研究。 發(fā)表論文60余篇;主持國家自然科學(xué)基金1項、省部級科研項目3項,獲授權(quán)國內(nèi)發(fā)明專利2項、實用新型專利16項。 此外主研日本企業(yè)委托項目1項,參與973/863、廣東省重點研發(fā)等重大課題多項。博士課題“硅上氮化鎵的應(yīng)力與晶體質(zhì)量調(diào)控”的成果成功應(yīng)用于日本企業(yè)8英寸GaN-on-Si外延技術(shù)和專用MOCVD設(shè)備開發(fā)。形成了面向硅上光電集成的硅上化合物半導(dǎo)體外延技術(shù)體系,包含硅上氮化鎵的有機金屬氣相外延(MOCVD)、硅上碲化鋅的分子束外延(MBE)、硅上鹵鉛鈣鈦礦單晶薄膜溶液外延等;曾長期從事碲化鎘薄膜太陽電池、中間帶太陽電池研究,參與建成我國第一條完全自主知識產(chǎn)權(quán)的薄膜太陽電池生產(chǎn)線。 1.研究方向: a)、III-V族半導(dǎo)體激光器的外延生長與制備,包括金屬有機氣相沉積(MOCVD,進口系統(tǒng)2套)、分子束外延(MBE,國產(chǎn)系統(tǒng)2套); b)、大面積二維材料、鈣鈦礦單晶薄膜生長,及其物性研究與器件應(yīng)用; c)、半導(dǎo)體光電器件(激光器、太陽電池、光電探測等)。 2.招生崗位: 深圳技術(shù)大學(xué)與深圳大學(xué)聯(lián)合培養(yǎng)碩士學(xué)生,光電信息工程專業(yè)(085408)專碩,1名。 順利完成學(xué)業(yè)的學(xué)生,將獲得深圳大學(xué)碩士學(xué)位。 3.調(diào)劑要求: 1.初試分數(shù)總分超過300分,單科滿足國家線 2.初試科目為:英語一、數(shù)學(xué)一、思想政治理論、專業(yè)課(08開頭) 3.發(fā)送簡歷、本科成績單、初試成績單到郵箱(cailovey"at"126.com) 4.本科課程學(xué)過固體物理、半導(dǎo)體物理者優(yōu)先考慮。 平臺與實驗實介紹: 本學(xué)院正在建設(shè)國內(nèi)少有的、設(shè)施一流的8英寸完整半導(dǎo)體工藝中試平臺(集成光電子工程中心),從外延生長、到工藝、封裝、測試全覆蓋。 師資雄厚、經(jīng)費充足。 導(dǎo)師所負責(zé)的光電芯片外延實驗室,具有進口的國際領(lǐng)先的金屬有機氣相沉積系統(tǒng)2套、國產(chǎn)分子束外延系統(tǒng)2套,具備國內(nèi)高校少有的半導(dǎo)體器件外延生長平臺條件。此外還有其他各類半導(dǎo)體生長設(shè)備多套,可依托集成光電子工程中心,進行完整的先進光電子器件與芯片加工。 歡迎有志于從事半導(dǎo)體光電材料與器件領(lǐng)域研究與工作的優(yōu)秀學(xué)子報考。 |

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