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physgao新蟲 (初入文壇)
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上海交通大學(xué)李政道研究所高安遠(yuǎn)課題組招博士研究所和博士后
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課題組擬再招聘1名具有上進(jìn)心且對(duì)科研充滿熱情的博士研究生及1名博士后學(xué)者。尤其歡迎在以下領(lǐng)域有實(shí)際經(jīng)驗(yàn)的申請(qǐng)者：二維材料器件制備、電輸運(yùn)以及光學(xué)測(cè)量。 感興趣的同學(xué)請(qǐng)聯(lián)系 anyuangao@sjtu.edu.cn 博士后崗位待遇： 1. 基本年薪高于30萬(wàn)元，具體面議。另根據(jù)工作表現(xiàn)以及項(xiàng)目情況發(fā)放績(jī)效獎(jiǎng)勵(lì)。 2. 支持申報(bào)“博士后創(chuàng)新人才支持計(jì)劃”、上海市“超級(jí)博士后”等人才項(xiàng)目，獲資助者就高享受相關(guān)待遇。 3. 可申請(qǐng)上海交通大學(xué)配套的博士后公寓，子女可申請(qǐng)上附屬幼兒園或小學(xué)。按照上海市和上海交通大學(xué)的博士后管理政策辦理有關(guān)落戶事宜，享受社會(huì)保險(xiǎn)、公積金等福利待遇，博士后出站留上海工作，配偶及子女可隨遷落戶。 4. 視具體情況，優(yōu)秀者聘期結(jié)束后經(jīng)考核可進(jìn)入上海交通大學(xué)長(zhǎng)聘教軌體系。 高安遠(yuǎn)，李政道學(xué)者、長(zhǎng)聘教軌副教授。2023年入選國(guó)家海外高層次青年人才計(jì)劃、上海海外高層次人才計(jì)劃、浦江人才計(jì)劃。 2019年6月博士畢業(yè)于南京大學(xué)物理系，繆峰教授課題組。2019年7月至2020年12月在南京大學(xué)繆峰教授課題組擔(dān)任副研究員。2020年1至2024年4月在哈佛大學(xué)Suyang Xu課題組從事博士后研究。2024年5月加入上海交通大學(xué)李政道研究所。 主要通過設(shè)計(jì)和制備量子器件，使用輸運(yùn)和光學(xué)手段研究二維材料中的新奇物理現(xiàn)象。取得了若干個(gè)開創(chuàng)性成果：1) 觀測(cè)到量子度規(guī)非線性霍爾效應(yīng)；2) 提出并觀測(cè)到層霍爾效應(yīng)； 3) 觀測(cè)到彈道雪崩效應(yīng)，并制作了首個(gè)彈道雪崩光電探測(cè)器和場(chǎng)效應(yīng)晶體管； 4) 設(shè)計(jì)出高于商用性能的室溫中紅外光電探測(cè)器。 目前已發(fā)表學(xué)術(shù)論文30余篇，引用2600余次，h 因子為21，其中以第一作者身份發(fā)表論文包括Nature、Science、Nature nanotechnology、ACS nano，共一作者發(fā)表論文包括Science Advances、Advanced Materials。 https://tdli.sjtu.edu.cn/CN/people/tenure-track-fellows/620/AnyuanGao 課題組目前研究方向包括：1) 使用外場(chǎng)（包括電場(chǎng)、光場(chǎng)、應(yīng)力和壓力等）探測(cè)和操控二維材料中的新奇量子現(xiàn)象；2) 設(shè)計(jì)、制作新奇的拓?fù)淞孔悠骷?) 新穎的高性能二維光電器件；4) 量子材料中的非線性輸運(yùn)。 代表性論文： Anyuan Gao, et al. “Quantum metric nonlinear Hall effect in a topological antiferromagnetic heterostructure” Science 381, 181-186 (2023). Anyuan Gao, et al. “Layer Hall effect in a 2D topological axion antiferromagnet” Nature 595, 521-525 (2021). Anyuan Gao, et al. “Observation of ballistic avalanche phenomena in nanoscale vertical InSe/BP heterostructures” Nature nanotechnology 14, 217-222 (2019) Anyuan Gao, et al. “Observation of the antiferromagnetic diode effect” Nature Electronics (Accepted). Anyuan Gao, et al. “Robust impact-ionization field-effect transistor based on nanoscale vertical graphene/black phosphorus/indium selenide heterostructures”, ACS nano 14, 434-441 (2019) Mingsheng Long, Anyuan Gao, et al. “Room temperature high-detectivity mid-infrared photodetectors based on black arsenic phosphorus” Science advances 3, e1700589 (2017) (Co-first author) Zhiyi Zhang, Bin Cheng, Jeremy Lim, Anyuan Gao, et al. “Approaching the intrinsic threshold breakdown voltage and ultrahigh gain in a graphite/InSe Schottky photodetector” Advanced Materials 34 2206196 (2022) (Co-first author) https://scholar.google.com/citations?hl=en&user=wsBf0mMAAAAJ |
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2樓2024-08-30 10:57:26
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