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山東大學(xué)集成電路學(xué)院集成微納電子學(xué)研究所碩士、博士招生
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碩士、博士招生專業(yè)都是: 學(xué)術(shù)學(xué)位:集成電路科學(xué)與工程--材料與器件方向 專業(yè)學(xué)位:集成電路工程--材料與器件方向 研究方向:氧化物半導(dǎo)體大規(guī)模集成電路、新型垂直溝道存儲(chǔ)器件、超寬禁帶氧化物功率器件與集成等。 招生對(duì)象: 碩士:獲得本校推免資格的本科生,參加統(tǒng)考報(bào)考山東大學(xué)集成電路學(xué)院的考生。 博士:已獲得或2025年9月之前將要獲得碩士學(xué)位的研究生。 歡迎具有微電子、物理、電子科學(xué)與技術(shù)等相關(guān)背景的同學(xué)積極聯(lián)系,有意者可將個(gè)人簡(jiǎn)歷材料發(fā)至 yxli@email.sdu.edu.cn 附:集成微納電子學(xué)研究所簡(jiǎn)介(https://ic.sdu.edu.cn/kyyhz/yjsypt/xydbdtcl_NMEC1_.htm) 集成微納電子研究所在國(guó)家特聘教授宋愛民教授的帶領(lǐng)下,打造了一支國(guó)際高水平研究隊(duì)伍,具有包括國(guó)家“特聘教授”、“泰山學(xué)者”、“泰山青年學(xué)者”、“山東省海外優(yōu)青”、“齊魯青年學(xué)者”在內(nèi)的教授6名、副教授2名。研究所成員領(lǐng)銜建設(shè)了加工精度世界一流的7 nm微納器件加工平臺(tái)以及國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的 2 THz太赫茲微波分析測(cè)試平臺(tái),搭建了完備的導(dǎo)體、半導(dǎo)體及絕緣體材料生長(zhǎng)系統(tǒng)、加工系統(tǒng)、以及材料與器件分析測(cè)試平臺(tái),研究能力全面接軌國(guó)際領(lǐng)先水平。平臺(tái)介紹見https://ic.sdu.edu.cn/info/1083/3266.htm。 研究所面向國(guó)家戰(zhàn)略需求和行業(yè)技術(shù)需求,結(jié)合自身特色開展氧化物半導(dǎo)體大規(guī)模集成電路、新型垂直溝道存儲(chǔ)器件、超寬禁帶氧化物功率器件與集成、新型太赫茲/毫米波動(dòng)態(tài)調(diào)控等離激元芯片、低維半導(dǎo)體傳感及探測(cè)器件與電路等課題研究,并取得了一系列高水平成果,近年來(lái)發(fā)表SCI論文100余篇(包括Science、Nature Communications、Advanced Science、PNAS、Advanced Materials、Nano Letters、ACS Nano及50余篇IEEE器件類論文等),承擔(dān)了多項(xiàng)國(guó)家重大科研項(xiàng)目,包括5項(xiàng)國(guó)家重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃課題、1項(xiàng)國(guó)家973課題、10余項(xiàng)國(guó)家自然科學(xué)基金、3項(xiàng)山東省重大基礎(chǔ)研究項(xiàng)目等縱向科研項(xiàng)目,以及10余項(xiàng)企業(yè)橫向項(xiàng)目,總科研經(jīng)費(fèi)超過(guò)5000萬(wàn)元。代表性成果包括氧化物薄膜CMOS集成電路、靈敏度最高的二維太赫茲探測(cè)器、以及柔性葉柵及皮柵晶體管等,目前已經(jīng)在國(guó)內(nèi)外集成微納電子領(lǐng)域形成了特色,具有較強(qiáng)的影響力。 個(gè)人主頁(yè):https://faculty.sdu.edu.cn/liyuxiang/zh_CN/index.htm |
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