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henry24銀蟲 (小有名氣)
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[交流]
【求助】請(qǐng)問如何在硅片上鍍一層二氧化硅薄膜？ 已有14人參與
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我現(xiàn)在想在硅片上生長(zhǎng)碳納米管，但是效果并不好，看文獻(xiàn)有說硅片上鍍一層二氧化硅作為緩沖層可以緩沖后面接的金屬層與硅片直接反應(yīng)，一般的厚度大概是500納米或者1微米。有沒有簡(jiǎn)單的方法直接氧化硅片的表面？我看文獻(xiàn)有用熱氧化法的，不知道這個(gè)方法簡(jiǎn)單不簡(jiǎn)單，具體是如何操作？ [ Last edited by henry24 on 2009-11-23 at 06:48 ] |
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在硅片上垂直生長(zhǎng)單個(gè)碳納米管的新技術(shù)
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美國(guó)普渡大學(xué)的工程師們發(fā)明了一種在硅片上垂直生長(zhǎng)單個(gè)碳納米管的技術(shù)，向高級(jí)電子儀器、無線儀器和傳感器的納米堆積技術(shù)制造，邁出了一大步。他們的成果發(fā)表在7月11號(hào)的《Nanotechnology》。 “這項(xiàng)技術(shù)也許會(huì)發(fā)展出一種制造‘垂直取向’納米電子學(xué)儀器的方法。這種電子儀器的結(jié)構(gòu)就像摩天大樓一樣。”機(jī)械工程助理教授Timothy S. Fisher說，他和任巴茲爾.S.特納教授職位的Timothy D. Sands共同領(lǐng)導(dǎo)了這項(xiàng)研究。 Fisher說“垂直能夠在同樣的面積上放置更多的東西，這樣就可以在管腳相同或更少的情況下增加很多層。但是在相像怎樣利用納米管制造電子設(shè)備前，我們必須先考慮怎么把它們放置在我們須要的位置�！� 工程師們首先使用電子束蒸發(fā)技術(shù)制造一個(gè)3層的薄膜：2層鋁中間夾著一層超薄的鐵。然后工程師們使用陽極電鍍法氧化金屬，選擇性地制造圓柱形空腔，把薄膜變?yōu)楹穸葹槿祟^發(fā)1/100的多孔的陽極氧化鋁模版。在這個(gè)過程中，他們使用電場(chǎng)來保證納米尺寸小孔精確地排成陣列，把鋁變?yōu)槎嗫籽趸X。 接著，工程師們把氫氣和甲烷的混合氣體通入模版中，然后使用微波加熱來打碎甲烷，釋放其中的碳。鐵層這時(shí)作為催化劑加快碳從甲烷中分離并在腔外垂直生長(zhǎng)為碳納米管。 Sands說：“每個(gè)小孔生成一個(gè)納米管，這一點(diǎn)很重要，因?yàn)樵谖磥淼碾娮釉O(shè)備和傳感技術(shù)中，我們可以開始考慮整合納米管的方式和位置�！� 工程師們使用兩臺(tái)電子顯微鏡來觀察納米管的生長(zhǎng)，在動(dòng)態(tài)過程中，可以很清楚的看出模版上的孔和自孔中生長(zhǎng)的納米管都是真正的自組織生長(zhǎng)的。 腔的形成需要幾秒鐘，納米管的生長(zhǎng)需要幾分鐘�？椎膶挾仍�30到50納米之間。 普渡大學(xué)的實(shí)驗(yàn)中同時(shí)得到了單壁和雙壁的碳納米管，納米管直徑約1納米。研究人員們將進(jìn)一步研究產(chǎn)生單壁和雙壁分別所需的條件和怎樣使一種產(chǎn)生得更多。 其他學(xué)者曾經(jīng)制作過模版，但是普渡小組是第一個(gè)使用鐵層的。據(jù)Fisher說，這是他的一個(gè)研究生Matthew R. Maschmann 的主意。 這項(xiàng)成果的短期應(yīng)用將集中在無線網(wǎng)絡(luò)和雷達(dá)技術(shù)上，遠(yuǎn)期將可能應(yīng)用在各種晶體管和其他電子儀器和電路上。 |
6樓2009-11-23 10:17:09
7樓2009-11-23 10:58:16
tina050582
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8樓2009-11-23 14:57:38
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