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clidongdong金蟲 (小有名氣)
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【求助】光致發(fā)光峰位與激發(fā)光源的關系 已有2人參與
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在做氧化鎘的光之發(fā)光時，光源在520 峰值在650-700左右 但文獻上大多用300左右的光源，其峰值在550左右，請問峰值發(fā)生偏移的原因是什么？ 已重復測量，樣品為多晶 |
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2樓2010-01-21 11:03:04
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ninhao
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ratio(金幣+3):歡迎討論！ 2010-05-29 17:20:59
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發(fā)光的來源: ①有雜質或缺陷參與的躍遷。導帶電子躍遷到未電離的受主能級，與受主能級上的空穴復臺；中性施主能級上的電子躍遷到價帶，與價帶中空穴復合；中性施主能級上的電子躍遷到中性受主能級，與受主能級上的空穴復合。 ②帶與帶之間的躍遷。導帶底的電子直接躍遷到價帶頂部，與空穴復合；導帶熱電子躍遷到價帶頂與空穴復合，或導帶底的電子躍遷到價帶與熱空穴復合。 ③熱載流子在帶內躍遷。 由上可知，電子從高能級向較低能級躍遷時，必然釋放一定的能量。如躍遷過程伴隨著放出光子，這種躍遷稱為輻射躍遷。必須指出，以上列舉的各種躍遷過程并非都能在同一材料和在相同條件下同時發(fā)生；更不是每一種躍遷過程都輻射光子。但作為半導體發(fā)光材料，必須是輻射躍遷占優(yōu)勢。 |
4樓2010-05-28 20:06:08
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6樓2013-01-19 14:05:09
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7樓2013-03-17 10:41:12
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8樓2014-10-28 19:32:54
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