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[交流]
【求助】FET測試 氧化硅絕緣層漏電 已有7人參與
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這段時間做FET device，要做低溫。但是發(fā)現(xiàn)氧化硅絕緣層居然漏電。不知道是怎么回事。不知道有經(jīng)驗的兄弟能否給指點下。 我用的是300nmSiO2/500um Si. Pt電極。標準的電子束曝光過程。 PMMA－曝光－顯影－鍍電極 多謝各位了。 |
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maccaboy
至尊木蟲 (著名寫手)
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- 專業(yè): 敏感電子學與傳感器
4樓2010-03-15 19:42:46
yipinchun(金幣+5): 2010-03-15 16:58
yipinchun(金幣+5):多謝兄弟，可否進一步指點下 2010-03-15 17:03
yipinchun(金幣+5):多謝兄弟，可否進一步指點下 2010-03-15 17:03
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你從什么地方買的氧化硅片子，正常情況下是不應(yīng)該出現(xiàn)這樣的問題的，通常熱氧化過程是比較簡單可靠的，要不然IC也不會得到這么大范圍的應(yīng)用。 看一下氧化硅片子的顏色，如果是深藍色，比較均勻的話，基本上可以排除是氧化硅的問題。 有多個器件的話，換個器件試試。 不過個人覺得最好考察一下測量過程和儀器搭接方式，熱氧化的氧化硅不會這么容易出問題的，特別是這種標準厚度。 低溫探針臺里面探針連接要特別小心。 |
2樓2010-03-15 16:47:46
3樓2010-03-15 17:03:07
5樓2010-03-15 20:59:20
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