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【討論】sio2薄膜的用途轉(zhuǎn)載---大家看說的靠譜嗎 已有1人參與
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在導(dǎo)電基體上制作薄膜傳感器的過程中，需要在基體與薄膜電極之間沉積一層絕緣膜。二氧化硅薄膜具有良好的絕緣性能，并且穩(wěn)定性好，膜層牢固，長期使用溫度可達1000℃以上，應(yīng)用十分廣泛。通常制備SiO2薄膜的現(xiàn)行方法主要有磁控濺射、離子束濺射、化學(xué)氣相沉積、熱氧化法、凝膠－溶膠法等。本文系統(tǒng)闡述了各種方法的基本原理、特點及適用場合，并對這些方法做了比較。 正文：SiO2 薄膜以其優(yōu)異的性能在半導(dǎo)體、微波、光電子、光學(xué)器件以及薄膜傳感器等領(lǐng)域獲得了廣泛的應(yīng)用。在微電子技術(shù)中SiO2膜被用作擴散掩蔽層、MOS器件的絕緣柵、多層布線的絕緣隔離層以及器件表面的鈍化保護層等。SiO2膜還以其折射率低（n=1.458）、透光性好的特性用于光學(xué)零件的表面防護以及減反射涂層。此外SiO2膜具有良好的絕緣性、穩(wěn)定性和機械特性，硬度高、結(jié)構(gòu)精細(xì)、膜層牢固、抗磨耐腐蝕、熔點高而用于多層薄膜傳感器的絕緣層。為此，多年來人們對SiO2膜制作方法及性能等進行了廣泛的研究。對于應(yīng)用于微電子技術(shù)和傳感器技術(shù)中的SiO2膜，人們關(guān)心的是SiO2薄膜的介電常數(shù)、擊穿場強、絕緣電阻、固定電荷和可動電荷密度等電性能指標(biāo)。應(yīng)用于光學(xué)鍍膜領(lǐng)域的SiO2膜，人們更關(guān)心膜層的折射率、消光系數(shù)及透明區(qū)間等光學(xué)性能指標(biāo)。通常制備SiO2薄膜現(xiàn)行方法主要有磁控濺射、離子束濺射、化學(xué)氣相沉積(CVD)、熱氧化法、凝膠- 溶膠法 |
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2樓2013-11-27 23:45:37
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