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liuguan
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[交流]
【討論】光催化性能和結(jié)晶度有關(guān)系嗎? 已有6人參與
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我在書上面看到這樣一句話說,摻雜雜質(zhì)離子會(huì)引起半導(dǎo)體晶格的畸變,降低離子結(jié)晶度,增加缺陷位置等多方面的作用。從而影響半導(dǎo)體粒子的光催化性能。 請(qǐng)教高手賜教。 而結(jié)晶度都是用什么儀器表征的? |
光催化 | 逛木蟲 隨便學(xué) |
銅蟲 (小有名氣)
木蟲 (正式寫手)
木蟲 (著名寫手)
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結(jié)晶度可以用XRD來表征,假如你是用TiO2的光催化,其中有無定形和銳鈦礦型,可以通過無定形和銳鈦礦型的峰的強(qiáng)度對(duì)比。同理也適合用于金紅石和銳鈦礦互存情況。另外張青紅的一篇論文里面提及用熱重方法測(cè)定無定形中TiO2的銳鈦礦的含量。這幾個(gè)方法比較適合單一的TiO2結(jié)晶度的算法。 如果你是用負(fù)載型的,比如我們課題組用的SiO2表面負(fù)載TiO2的結(jié)晶度就比較難表征,SiO2無定形的干擾很大。想用一些內(nèi)標(biāo),但是又苦于沒有相同粒徑的純銳鈦礦的TiO2,這方面確實(shí)正在努力中。 另外個(gè)人覺得如果是單單定性的話,很簡(jiǎn)單就看離子摻雜之后,TiO2結(jié)晶峰是不是變?nèi)趿,?dāng)然是要在類似的半峰寬的條件下。 |
金蟲 (小有名氣)
小兔子
木蟲 (小有名氣)
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結(jié)晶 度比較高或者結(jié)晶比較好的話,晶格缺陷就比較少,比較利于charge carrier的傳導(dǎo)。 結(jié)晶缺陷也有可能是electron-hole的recombination center,不利于二者的分離。 除了結(jié)晶度,其他因素如比表面積,表面形態(tài)等對(duì)光催化也有很重要的影響。并不是結(jié)晶好的材料催化效果一定好,也并不是結(jié)晶不好的材料催化效果一定差。 |
金蟲 (著名寫手)
計(jì)算蠕蟲
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