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a5027580金蟲 (正式寫手)
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[交流]
【求助】請問為什么GaAs摻雜Al會(huì)從直接帶隙變?yōu)殚g接 已有7人參與
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| 遇到一理論方面的問題：為什么AlxGa1-xAs隨著x的增加，會(huì)從直接帶隙變?yōu)殚g接帶隙？請大蝦們幫解釋下，謝謝！急。急。急。。。。。。。。。。。 |
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2樓2010-05-22 22:45:24
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小木蟲:)(金幣+3):3q 2010-05-28 13:12:53
a5027580(金幣+2): 2010-05-23 11:03:10
小木蟲:)(金幣+3):3q 2010-05-28 13:12:53
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樓主沒學(xué)過固體物理嗎？ 帶隙就是E-K圖中導(dǎo)帶價(jià)帶和導(dǎo)帶距離最小處的差值gap Al組分小于約0.45時(shí) 能量差最小處位于同一動(dòng)量K處 故為直接帶隙 Al組分大于約0.45時(shí) 能量差最小處不位于同一動(dòng)量K處 故為間接帶隙 另外，由于間接帶隙的躍遷既要滿足能量守恒也要滿足動(dòng)量守恒 而直接帶隙只需能量守恒，故間接帶隙躍遷的幾率比直接帶隙小很多 個(gè)人理解 但愿有助于樓主。 附圖  [ Last edited by zjciomp7973 on 2010-5-23 at 09:58 ] |
4樓2010-05-23 09:51:00
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a5027580(金幣+1): 2010-05-26 22:47:37
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GaAs是直接帶隙，但是AlAS是間接帶隙，Al摻入GaAs是形成合金相，此時(shí)三元結(jié)構(gòu)材料的帶隙是由此材料導(dǎo)帶能量最低點(diǎn)和價(jià)帶能量最高點(diǎn)決定的，如果摻入的Al少，則此時(shí)GaAs占主導(dǎo)地位，能量最低點(diǎn)和最高點(diǎn)，都在K=O點(diǎn)（伽馬點(diǎn)），此時(shí)為直接帶，如果摻入的Al增加，當(dāng)AlAS為主導(dǎo)地位時(shí)，為間接帶，此時(shí)能量最低點(diǎn)和最高點(diǎn)不再K相等的位置。 [ Last edited by 納米材料753 on 2010-5-24 at 08:43 ] |
10樓2010-05-24 08:24:00
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