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[交流]
【求助成功】Si 的激子結合能 已有1人參與
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激子結合能=GW 帶隙-BSE吸收峰值， 但是對于Si， GW帶隙應該為Si實驗值1.2eV吧？而其BSE峰值為3.4eV，這樣激子結合能是負值嗎？ 我的理解是否有誤？大家討論下。 [ Last edited by 子虛烏有5388 on 2010-6-24 at 17:25 ] |
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zzy870720z(金幣+2): 謝謝指教 2011-04-14 20:24:01
zzy870720z(金幣+2): 謝謝指教 2011-04-14 20:24:01
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根據(jù)我看的文獻，激子大約分為兩種： 1）Wannier – Matt excitons (free exciton): mainly exist in semiconductors, have a large radius, are delocalized states that can move freely throughout the crystal, the binding energy ~ 0.01 eV; 2）Frenkel excitons (tight bound excitons): found in insulator and molecular crystals, bound to specific atoms or molecules and have to move by hopping from one atom to another, the binding energywith typical values ranging from about 0.1 eV to several eV. 半導體的激子結合能很小，計算的話根本看不到激子峰存在，所以你說的“激子峰”估計還不是實際的激子峰值。 只有絕緣體之類的才能看到比禁帶寬度小的強激子吸收峰。 個人理解 |
3樓2011-04-14 16:27:18
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