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cenwanglai榮譽(yù)版主 (知名作家)
老和山猥瑣派九段
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【求助成功】NEB計算,每個POSCAR的設(shè)置和slab結(jié)構(gòu)優(yōu)化一樣嗎? 已有3人參與
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要做NEB了,關(guān)心的是能壘.第一次. 看了http://theory.cm.utexas.edu/vtsttools/scripts/#NEB 還是想聽聽大家的建議. 體系: CeO2表面小分子的吸附遷移,50-60個原子左右. 機(jī)器: E5410四核兩顆,8核8G內(nèi)存.并行版vasp4.6 OS Rhel 5.2 (1)每個POSCAR(or image)的設(shè)置跟單個slab模型原子位置優(yōu)化的設(shè)置一樣嗎? 即 ............................... selective dynamic directive xx yy zz T T T ................................. XX YY ZZ F F F ............................... ???? (2)vasp manual 2009 P84 末尾說 先在端點(diǎn)間插入一個image,收斂后增加image. 意思是用二分法一個一個的加image,然后連起來?還是等第一個試探的image收斂后,增加合適數(shù)量的images來從從新開始頭計算,原來測試的第一個image就不要了? (3)硬件配置和計算任務(wù)是否"般配"?估計要多長時間可以完成?N=5的話. (4)有其他可能遇到的問題或者可以分享的,也歡迎跟貼分享.比如vtsttools命令的巧妙合適的運(yùn)行.這個我很欠缺. 非常感謝!期待大家的幫助. [ Last edited by cenwanglai on 2010-6-17 at 14:48 ] |
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