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wangkaiyue金蟲 (著名寫手)
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[交流]
【求助】離子注入與電子輻射的區(qū)別 已有5人參與
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| 離子注入ion implant是將高能量的離子打入固體表面或內(nèi)部,從而形成半導(dǎo)體材料,而電子輻射electron irradition是利用高能或低能電子使材料產(chǎn)生活性空位,那使用的電子去哪了??反射了還是留在基體內(nèi)??請(qǐng)問各位大蝦,兩者的區(qū)別,本人是菜鳥。 |

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離子注入和電子輻照都是輻照方式,當(dāng)然絕大部分都是留在材料內(nèi)部,這毫無疑問。 不同之處在與于一個(gè)核能損為主,一個(gè)點(diǎn)電子能損為主。 至于后續(xù)造成的導(dǎo)電性能的影響,你似乎還沒有徹底理解這個(gè)問題,電子導(dǎo)電還是空穴導(dǎo)電是宏觀行為,得和材料的整體性能放在一起考慮,不能說電子輻照了就成了N型了,殊不知他內(nèi)部造成的大量缺陷以及自由載流子與輻照能量和劑量密切相關(guān)。 |

金蟲 (著名寫手)

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