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[交流]
【求助】關于Al2O3燒結SiC的問題 已有6人參與
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我用微米級的Al2O3（D50=2um）燒結SiC（D50=5um），在氮氣氣氛下1750度保溫一個小時，它們的比例為1:1；然后又用納米級的Al2O3（D50=30nm）在相同條件下燒結SiC。 結果發(fā)現用微米級Al2O3燒結的條，顯氣孔率比用納米級的要低，這是為什么？雖說用納米級的Al2O3燒結時，成型后的素胚體積較大（我沒有用等靜壓），但從理論上來說用納米級的顯氣孔率肯定要低一些。請大家?guī)兔忉屢幌�！謝謝！我已經重復做過實驗，結果肯定是這樣。 |
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4樓2010-07-14 10:19:30
tjumark
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化學小工(金幣+1):鼓勵交流 2010-07-17 10:32:19
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這涉及到成型壓制時試樣內部的顆粒堆積密度的問題，SiC（D50=5um）粒徑大，顆粒間的間隙也大，在沒有等靜壓處理的條件下，用微米級的Al2O3（D50=2um）填充SiC間隙比納米級的填充得到的試樣可能會表面更致密些，故顯氣孔率小些。 先測定下燒結試樣的相對密度，再根據其他性能確定氧化鋁粉的粒徑還有是否用等靜壓。 |
2樓2010-07-14 09:04:08
zhang_1983
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3樓2010-07-14 10:15:55
zhang_1983
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5樓2010-07-14 10:25:03
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