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【求助】關(guān)于β-SiC問題 已有10人參與
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| β-SiC的晶體結(jié)構(gòu)類型,一般在什么溫度下生成,與α-SiC有什么區(qū)別? |
金蟲 (正式寫手)
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SiC具有α和β兩種晶型。β-Sic的晶體結(jié)構(gòu)是立方晶系,Si和C分別組成面心立方晶格,Si——C的原子間距為0.1888nm,六方或菱面體的α-SiC存在著4H、15R和6H等100余種多型體,其中,6H多型體在工業(yè)上應(yīng)用最為廣泛。在6H-SiC中,Si與C交替成層狀堆積,Si層間或C層間的距離為0.25nm,si-C的原子間距約為0.19nm。 在SiC的兩種晶型之間存在一定的熱穩(wěn)定性關(guān)系。溫度低于1 600℃時,SiC以β-SiC存在;溫度高于1600℃時,β-SiC通過再結(jié)晶緩慢轉(zhuǎn)變成α-SiC的各種型體(4H、6H和15R等)。4H-SiC在2000℃左右容易生成;而15R和6H多型體均需在2100℃以上才能生成,但15R的熱穩(wěn)定性比6H多型體差,對于6H-SiC,即使溫度超過2200℃也非常穩(wěn)定。 工業(yè)碳化硅因所含雜質(zhì)的種類和含量不同,而呈淺黃、綠、藍乃至黑色,透明度隨其純度不同而異。以α-SiC為主。 β-SiC是立方晶型,PDF number應(yīng)該是29-1129,其他都是α-SiC。 |
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