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apolloljy銀蟲 (小有名氣)
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[交流]
【求助】請問一個利用ICP刻蝕PI的方法 已有6人參與
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請教一個利用ICP刻蝕PI的方法 我的主要實驗?zāi)康氖窃赑I上光刻做出金膜圖形，然后想利用PI做犧牲層采用ICP刻蝕方法將金膜圖形最窄區(qū)域（2um寬）刻透（橫向）。但是目前沒辦法測得ICP刻蝕的縱向速率與橫向速率之比。主要是難于將橫向刻蝕深度測得。 請問大家有誰做過PI的刻蝕沒有，可有這方面的數(shù)據(jù)？金幣不多。。只能提供這些了，謝謝了！ 我采用的是ICP刻蝕條件：CF4：O2=10：50（流量比），壓力0.4Pa，上電極300w，下電極100w，偏壓200V。 |
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yccycc
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6樓2010-08-30 02:42:58
rock19850817
銅蟲 (小有名氣)
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3樓2010-08-27 16:58:28
4樓2010-08-30 00:12:24
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5樓2010-08-30 02:38:13
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