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sunyang1988至尊木蟲 (著名寫手)
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[交流]
【求助】計算表面能要不要固定中間的原子 已有8人參與
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| 文獻上很多都是固定一部分中間原子兩邊馳豫，可師兄告訴我充分馳豫更好，對這個地方一直很困惑，請大家指教 |
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| 做slab模型表面的計算，一般有兩種方式：單表面，即將slab模型中幾個底部原子層(bottom atomic layers)固定，而只對其他的原子層進行優(yōu)化，對于有些有懸掛鍵的半導體表面(比如Si, 或GaAs的)可能還需要對最底層有懸掛鍵的原子層用氫飽和，采用單表面模型時，需考慮dipole correction。雙表面，即考慮slab模型中有上下兩個表面，可能的話，盡量將上下兩個表面取的對稱，比如有吸附的情況，在上表面需放置吸附物，下表面對稱的位置上也需放上吸附物，這種雙表面模型中，原子層數(shù)較多，結構優(yōu)化時，通常將中間2-3層左右的原子層固定。如果上下表面是對稱的，那就不需要做dipole correction了。 |
8樓2010-08-21 20:40:58
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計算表面能時，用slab的總能減去各個元素的化學勢之和，再除上表面的面積： E(surface energy) = [ E_tot(slab) - \sum_i n_i \mu_i ]/ A或2A \mu_i是slab模型中元素i 的化學勢, n_i是slab中相應元素的原子的個數(shù)， E_tot(slab)是slab模型的總能， A是表面原胞的面積，A或2A取決于是單表面還是雙表面模型。 其實可以對一個簡單的Al(001)體系做個測試，看單表面和雙表面的slab模型給出來的surface energy的差別，以及計算量大小的差別。 有興趣的可以讀讀： A. Michaelides and M. Scheffler, An introduction to the theory of metal surfaces. To appear in: Textbook of Surface and Interface Science, Vol. I. (Ed.) K. Wandelt, Wiley-VCH (2010). http://www.fhi-berlin.mpg.de/th/ ... pter_Submission.pdf |
11樓2010-08-22 10:02:48
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