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zhangjwxjtu銀蟲(chóng) (小有名氣)
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第十六屆全國(guó)化合物半導(dǎo)體材料、微波器件和光電器件學(xué)術(shù)會(huì)議 已有1人參與
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第十六屆全國(guó)化合物半導(dǎo)體材料、微波器件和光電器件學(xué)術(shù)會(huì)議 第二輪通知 由中國(guó)電子學(xué)會(huì)半導(dǎo)體與集成技術(shù)分會(huì)、電子材料分會(huì)主辦，西安交通大學(xué)微電子系、西安交通大學(xué)電子科學(xué)與技術(shù)系、陜西省信息光子技術(shù)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室和西安交通大學(xué)-中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所信息功能材料與器件聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室承辦的“第十六屆全國(guó)化合物半導(dǎo)體材料、微波器件和光電器件學(xué)術(shù)會(huì)議”定于2010年10月25-29日在古城西安召開(kāi)。這是每?jī)赡昱e行一次的全國(guó)性重大學(xué)術(shù)會(huì)議，將展示化合物半導(dǎo)體，特別是近年來(lái)迅猛發(fā)展的寬禁帶化合物半導(dǎo)體在材料生長(zhǎng)、器件與電路設(shè)計(jì)、制造工藝及其應(yīng)用等方面的最新成就，探討國(guó)際上化合物半導(dǎo)體、微波器件和光電器件以及固體薄膜的研究現(xiàn)狀和發(fā)展趨勢(shì)。召開(kāi)這次會(huì)議的目的是為全國(guó)在本領(lǐng)域從事研究、教學(xué)、生產(chǎn)的科技人員和管理人員提供一個(gè)學(xué)術(shù)與技術(shù)交流的平臺(tái)，增進(jìn)交流，以促進(jìn)我國(guó)本領(lǐng)域的科技進(jìn)步和產(chǎn)業(yè)發(fā)展。我們熱忱歡迎本領(lǐng)域廣大專家學(xué)者和科技人員以及相關(guān)設(shè)備、儀器制造領(lǐng)域的科技人員與相關(guān)企業(yè)界人士踴躍投稿參會(huì)。 大會(huì)共主席：王占國(guó)院士、侯洵院士 主辦單位：中國(guó)電子學(xué)會(huì)半導(dǎo)體與集成技術(shù)分會(huì)、電子材料分會(huì) 承辦單位：西安交通大學(xué)微電子系、西安交通大學(xué)電子科學(xué)與技術(shù)系、陜西省信息光子技術(shù)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室和西安交通大學(xué)-中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所信息功能材料與器件聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室 會(huì)議時(shí)間：2010年10月25-29日 會(huì)議地點(diǎn)：西安市 參觀考察：會(huì)議期間將組織在西安周邊參觀考察活動(dòng)，初步旅游路線為：西安-黃帝陵（橋山之巔瞻仰天下第一陵）-黃河壺口瀑布（聆聽(tīng)黃河咆哮之聲，看千里黃河一壺收的壯觀氣勢(shì)）-延安（革命圣地延安和榆林近年來(lái)發(fā)展日新月異，號(hào)稱中國(guó)的“科威特”）。 重要的時(shí)間點(diǎn)： 1. 投稿截止日期： 2010年9月20日 2. 論文接收通知日期： 2010年9月30日 一、征文內(nèi)容： 1、 GaAs、InP等化合物半導(dǎo)體材料、微波器件及光電器件； 2、 寬禁帶化合物半導(dǎo)體(GaN、SiC、ZnO和金剛石等)材料的制備、性質(zhì)及器件應(yīng)用； 3、 硅基異質(zhì)結(jié)構(gòu)材料(如GeSi/Si、GaN/Si等)制備、器件及其光電集成技術(shù)； 4、 納米(低維)半導(dǎo)體材料、性質(zhì)及量子器件； 5、 磁性半導(dǎo)體材料的制備、性質(zhì)及器件應(yīng)用； 6、 化合物半導(dǎo)體微波器件和微波集成電路的設(shè)計(jì)、制造與測(cè)試； 7、 化合物半導(dǎo)體光電器件和光電集成電路的設(shè)計(jì)、制造與測(cè)試； 8、 化合物半導(dǎo)體微波器件及光電器件制造的其它相關(guān)技術(shù)，如耦合、封裝等； 9、 化合物半導(dǎo)體微波器件和光電器件的可靠性與失效分析； 10、化合物半導(dǎo)體微波器件和光電器件及系統(tǒng)的應(yīng)用； 11、新型化合物半導(dǎo)體材料制備、性質(zhì)及器件應(yīng)用； 12、化合物半導(dǎo)體材料的微結(jié)構(gòu)、表面、界面行為以及生長(zhǎng)動(dòng)力學(xué)研究； 13、化合物半導(dǎo)體和薄膜材料的先進(jìn)生長(zhǎng)設(shè)備和測(cè)試分析儀器的研制； 14、化合物半導(dǎo)體材料制備和器件研制相關(guān)的基礎(chǔ)材料(如金屬有機(jī)源、高純金屬源、高純工藝氣體等)； 15、化合物半導(dǎo)體和薄膜材料的表征和測(cè)試分析技術(shù)； 16、半導(dǎo)體白光照明材料、器件及應(yīng)用技術(shù)； 17、其它(如稀土、有機(jī)半導(dǎo)體等)半導(dǎo)體材料、性質(zhì)及器件應(yīng)用； 18、化合物半導(dǎo)體敏感材料、制備、表征及應(yīng)用； 19、化合物半導(dǎo)體微、納電子及光電子器件制造、表征及應(yīng)用； 20、半導(dǎo)體光電轉(zhuǎn)換材料與器件應(yīng)用。 21、集成電路設(shè)計(jì)； 22、電介質(zhì)物理與器件。 二、 投稿分類： 根據(jù)以上征文內(nèi)容，將參會(huì)者的稿件擬分為以下四大類。 1. 材料生長(zhǎng)及表征 （Material Growth and Characterization）, 類別代碼：MGC 2．高頻、高功率電子器件 (Electron Devices) , 類別代碼：ED 3．發(fā)光器件及光電探測(cè)器件 （Optoelectronic Devices）, 類別代碼：OED 4．設(shè)備、系統(tǒng)及應(yīng)用 （Equipment，System and Applications）, 類別代碼：ESA 5. 三束（電子束、離子束、光束），類別代碼：EIO 投稿時(shí)，請(qǐng)參會(huì)者務(wù)必在文章的首頁(yè)及Email的標(biāo)題中提供文章類別代碼 (在會(huì)議提供的文章模版里將有代碼位置輸入提示)，以便會(huì)務(wù)人員安排專家審稿。以上分類方式可能會(huì)由于屆時(shí)參會(huì)人員的分布相對(duì)變化而作相應(yīng)調(diào)整，望參會(huì)同仁諒解。 三、 論文要求： 1. 論文要力求反映國(guó)內(nèi)外最新研究方向和成果，要主題突出，內(nèi)容層次分明，數(shù)據(jù)準(zhǔn)確，論述嚴(yán)謹(jǐn)，結(jié)論明確，采用法定計(jì)量單位，且尚未在國(guó)內(nèi)外公開(kāi)刊物或其它學(xué)術(shù)會(huì)議上發(fā)表過(guò)。 2. 除印刷會(huì)議文集外，本次會(huì)議征集到的優(yōu)秀稿件將收入到國(guó)家某一級(jí)刊物。具體情況將于第二輪通知發(fā)表。 3. 論文一律采用 A4紙隔行激光打印。打印順序?yàn)椋侯}目用3號(hào)黑體字，作者用4號(hào)字，單位、郵編、電子信箱、摘要、關(guān)鍵詞等用6號(hào)字，正文用5號(hào)字。字體除題目外統(tǒng)一用宋體，版芯尺寸為140 mm ´215 mm，包括圖表在內(nèi)每篇論文不超過(guò)4頁(yè)。會(huì)務(wù)組將于近期把論文格式模版上載到本次會(huì)議的專用網(wǎng)站上。 四、論文的提交： 請(qǐng)參會(huì)者提交紙質(zhì)論文或電子文檔，詳細(xì)說(shuō)明如下。 1．紙質(zhì)論文： 請(qǐng)?zhí)峁┘す獯蛴〉募堎|(zhì)論文一式兩份，供評(píng)審用。郵寄地址： 西安市咸寧西路28號(hào)，西安交通大學(xué)電子與信息工程學(xué)院電子系 張景文 收，郵編710049。并請(qǐng)?jiān)谛欧馍献⒚鳌皶?huì)議投稿”字樣。為確保順利投稿，請(qǐng)掛號(hào)郵寄。我們收到論文后將通過(guò)電子郵件發(fā)送收信回執(zhí)，未收到回執(zhí)者，請(qǐng)盡快與會(huì)務(wù)組聯(lián)系。 2．電子文檔： 請(qǐng)參會(huì)者提供電子版論文PDF和word (要求可編輯)兩種格式的文檔。文件名稱格式如下：類別代碼加作者姓名，例如，OED-吳西安。請(qǐng)將以上兩種格式的文件同時(shí)發(fā)送到以下(見(jiàn)聯(lián)系人)兩個(gè)電子郵箱。并在Email正文中提供以下信息，以便減少會(huì)務(wù)組工作失誤并減輕會(huì)務(wù)組織人員的統(tǒng)計(jì)工作量。 a) 文章類別代碼[共4類]；b）文章題目；c）作者姓名；d）工作單位；e）Email地址；f)電話 請(qǐng)自留底稿，不論錄用與否原稿一律不退。 五、聯(lián)系人：張景文 、賀永寧 電話：029-82624684 傳真：029-82624684 Email: semicon@ mail.xjtu.edu.cn jwzhang@mail.xjtu.edu.cn 六、會(huì)議網(wǎng)址：為了便于信息溝通，本次會(huì)議組委會(huì)將會(huì)建立專門(mén)的會(huì)議網(wǎng)址，隨時(shí)發(fā)布與會(huì)議有關(guān)的最新信息，歡迎光臨訪問(wèn)瀏覽。會(huì)議網(wǎng)址為：http://semicon.xjtu.edu.cn 七、參會(huì)回執(zhí) 為了更好的開(kāi)展籌備工作，請(qǐng)參會(huì)人員配合我們填寫(xiě)參會(huì)回執(zhí)，在2010年9月15日前Email至?xí)h籌備組。大會(huì)籌備組熱忱歡迎您的到來(lái)；同時(shí)也真誠(chéng)希望得到您的大力支持與幫助。 西安交通大學(xué)微電子學(xué)系 西安交通大學(xué)電子科學(xué)與技術(shù)系 陜西省信息光子技術(shù)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室 西安交通大學(xué)-中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所信息功能材料與器件聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室 “第十六屆全國(guó)化合物半導(dǎo)體材料、微波器件和光電器件學(xué)術(shù)會(huì)議” 會(huì)議籌備組 發(fā)布日： 2010年8月25日 |
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2樓2010-09-03 17:20:33
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