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huangfumin木蟲 (著名寫手)
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[交流]
【求助】LED外延片（藍(lán)寶石基底MOCVD外延生長(zhǎng)GaN）--要求-謝謝
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如題，由于實(shí)驗(yàn)需要，想購(gòu)買一些LED外延片（c面藍(lán)寶石基底GaN），但不知道常常使用（商業(yè)）上的LED對(duì)基片（外延片）的要求都有那些。有朋友是做這方面的嗎？我查找了部分論文和標(biāo)準(zhǔn)，但不是很全面，SEMI和國(guó)標(biāo)上有一部分。 在工業(yè)中，是否對(duì)低溫GaN（緩存層）和高溫GaN（真正作用層）的厚度有要求？各個(gè)論文中提及的他們的厚度都不等，前者為大約為nm級(jí)別，后者為1um左右。這些都是通過(guò)MOCVD的工藝（處理時(shí)間）進(jìn)行控制的。 小弟在此請(qǐng)教一下，c面藍(lán)寶石基底的GaN外延片的要求，如前提及的兩個(gè)GaN的厚度等，或者對(duì)其基底藍(lán)寶石的要求（是否僅僅其標(biāo)準(zhǔn)跟拋光藍(lán)寶石國(guó)標(biāo)一樣？）。 望各位大俠相助，謝謝啦。 [ Last edited by huangfumin on 2010-9-6 at 09:02 ] |
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5樓2011-01-05 16:35:05
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