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yongmei6106新蟲 (小有名氣)
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[交流]
【請教】關(guān)于多孔硅PL譜的一些問題 已有2人參與
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| 我做的多孔硅PL譜中，響應(yīng)的峰位有七八個，而且，峰寬特別窄。我看別人的文獻中，響應(yīng)波長在可見光區(qū)，大約在500nm到600nm之間，且峰較寬，而我的波長響應(yīng)在紫外區(qū)，這是為什么，主要為什么會有這么多尖峰出現(xiàn)呢？ |
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2樓2010-09-14 17:57:20
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我嚴重懷疑lz所制備的多孔硅的質(zhì)量，如果材料質(zhì)量沒問題，那就得考慮測試過程是否存在問題。紫外區(qū)遠大于Si的帶隙，我懷疑是因為某些雜質(zhì)造成的。 ls說孔徑不規(guī)整、不均勻就會出現(xiàn)多個峰位嚴格來說沒錯。但這種不規(guī)整、不均勻應(yīng)該是服從某種分布的，因此最后的效果是多個峰位應(yīng)該疊成一個很寬的峰。 |
3樓2010-09-14 18:52:54
yes_zhu
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4樓2010-09-14 19:54:38
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| 3樓說的極是。多孔硅發(fā)光大體上有幾種，幾種在兩個波段范圍。主流的長波發(fā)光段（500以上到近紅外），一般認為是硅顆粒的納米尺寸效應(yīng)帶來的藍移（但也不太可能移動到紫外，但是如果能找到直接證據(jù)，如用TEM看到有尺寸非常小的硅納米顆粒，那還是有可能）。一般的紫外-藍光段被認為是硅的氧化物的缺陷發(fā)光，以及表面態(tài)啊、Si-O、Si-H-O、Si-H等鍵的發(fā)光。如果是穩(wěn)定的紫外-藍光段，那很可能是硅的氧化物的缺陷發(fā)光，如果不穩(wěn)定的話則可能是Si-H-O、Si-H等鍵的發(fā)光。這一點做個紅外光譜的實效分析就知道。建議樓主找篇綜述看一下就八九不離十了，這東西研究得比較多。 |
5樓2010-09-14 23:07:36
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6樓2013-04-15 22:49:29
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7樓2013-04-22 08:59:14
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