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[交流]
【討論】（100）與（200）晶面習(xí)性有何區(qū)別嗎？謝謝
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晶體擇優(yōu)取向生長時(shí)進(jìn)行控制，目的是長生（h00）擇優(yōu)取向，但結(jié)果是目中條件下（100）擇優(yōu)生長（體現(xiàn)在（100）衍射峰的凸起），而在另一種條件下（200）擇優(yōu)生長（體現(xiàn)在（200）衍射峰的凸起），請問這是為什么？難道和這兩個(gè)晶面的生長的習(xí)性不一樣有關(guān)嗎？？？盼解! 弱問引入液相對不同晶面的生長其有影響嗎？ [ Last edited by suxin8380 on 2010-10-10 at 16:50 ] |
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firedrake
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suxin8380(金幣+1):謝謝參與
suxin8380(金幣+2): 2010-10-13 10:35:16
wsht212(金幣+1):謝謝交流，希望常來！ 2010-10-16 16:57:05
suxin8380(金幣+1):謝謝參與
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wsht212(金幣+1):謝謝交流，希望常來！ 2010-10-16 16:57:05
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晶體上不同晶面的相對生長速度與網(wǎng)面上結(jié)點(diǎn)的密度成反比。網(wǎng)面間距大，網(wǎng)面上結(jié)點(diǎn)的密度大，網(wǎng)面對外來質(zhì)點(diǎn)的引力小，生長速度慢，晶面橫向擴(kuò)展，最終保留在晶體上。網(wǎng)面間距小，網(wǎng)面上結(jié)點(diǎn)密度小，網(wǎng)面對外來質(zhì)點(diǎn)引力大，生長速度最快，橫向逐漸縮小以致晶面最終消失；因此，實(shí)際晶體上的晶面常是網(wǎng)面上結(jié)點(diǎn)密度較大的面。晶體生長環(huán)境的變化，實(shí)質(zhì)上使體系能量僅接近（100）晶面的形成能，因此（100）沒有出現(xiàn)，或者生成非常緩慢，（200） 面生長速率快，原子堆疊多，顯示強(qiáng)度高就很正常了。 [ Last edited by firedrake on 2010-10-13 at 10:32 ] |
11樓2010-10-13 10:25:37
2樓2010-10-11 09:45:43
sailor805
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wsht212(金幣+1):謝謝交流，希望常來！ 2010-10-11 13:21:28
suxin8380(金幣+1): 2010-10-11 14:24:19
wsht212(金幣+1):謝謝交流，希望常來！ 2010-10-11 13:21:28
suxin8380(金幣+1): 2010-10-11 14:24:19
| 我覺的不同的實(shí)驗(yàn)條件對你的樣品的晶體結(jié)構(gòu)有一定的影響，比如說晶格參數(shù)角度的很小的變化等，有可能改變峰強(qiáng)的變化。樣品中存在晶面滑移，位錯(cuò)什么的也可能使峰強(qiáng)發(fā)生變化。我也不是很懂，呵呵，你參考一下就行了。再者說的擇優(yōu)取向，晶體生長中擇優(yōu)取向一般影響晶體的形狀，你說它是100擇優(yōu)或者200擇優(yōu)對晶體的形狀影響應(yīng)該是相同的。 |
5樓2010-10-11 11:10:00
kevinyao217
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