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[交流]
【請教】電導率和電子遷移率
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請問大家 電導率和電子遷移率 有什么聯(lián)系嗎 它們各自被哪些因素所決定?謝謝。! |
薄膜成型和電阻測量 | 光催化 | 業(yè)余學習 |
銀蟲 (正式寫手)
木蟲 (小有名氣)
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電導率與遷移率的聯(lián)系為: σ = neμ 其中: σ為電導率,n為載流子密度,e為電子電荷,μ為遷移率 詳情查看: http://en.wikipedia.org/wiki/Electron_mobility |
金蟲 (正式寫手)
木蟲 (正式寫手)

木蟲 (職業(yè)作家)
木蟲 (正式寫手)
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個人總結:因為晶體內(nèi)有大量的不斷振動的原子和大量自由運動的電子,所以任何一個電子的運動都不可避免地、經(jīng)常地碰到其他原子和電子,每次碰撞都會改變其運動方向。因而這些自由電子在晶體內(nèi)的運動是雜亂無章的。如果在金屬兩端施加一定的外加電壓,自由電子的運動就要受電場力的作用。盡管它在運動中還是會與其他原子和電子相碰撞,但每次碰撞之后會在電場力作用下,順著電場力方向加速運動(電子帶負電荷,電場作用力的方向正好與電場的方向相反),其總的運 動結果是好像自由電子在與電場方向相反的方向上作直線運動。有直線運動就有直線速度。顯然這個直線速度是與電場強度成正比的。把單位電場強度(每厘米長度的電壓差為1V,即1V/cm)下的直線速度叫做自由電子的“遷移率”,用μ來表示。 當電壓作用于一個導體上時,其中的自由電子都會以一定的速度從導體的一端遷移到另一端,也就是電荷從一端流向另一端。這就是導體傳導電流的過程。很明顯,一個物體的導電能力的大小,就依賴于自由電子的濃度[用n表示,單位是個/cm3]的高低和它的遷移率μ(cm2•s-1•V-1)的大小。為了說明物體的導電能力,特引入電導率這個概念,即:δ=enμ 式中,e為電子所帶的電荷。將電導率的倒數(shù)稱為電阻率。 |

新蟲 (小有名氣)

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