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[交流]
【求助】使用HSE06計算態(tài)密度
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我想問一下高手使用HSE06計算態(tài)密度的流程。我是這樣做的: 1.先使用PBE進行自洽計算。 2.使用自洽計算得到的WAVECAR再計算dos。 由于剛學VASP,想要和文獻結果對照一下,結果發(fā)現(xiàn)我在計算HfO2的V-的態(tài)密度時,得到的缺陷態(tài)位置和文獻中使用sX和PBE0的結果不一致,文獻中的結果都是在禁帶中有兩個缺陷態(tài)能級(一個約位于禁帶中,另一個在導帶下方0.9eV處),而我計算出來的只有禁帶中的那個缺陷能級。 以下是我計算dos時的INCAR: SYSTEM = HfSiO4 ISTART=1 ENCUT = 400 ISPIN = 1 GGA = PE ISMEAR = 0 SIGMA = 0.1 IBRION = -1 ISIF = 0 NSW = 0 EDIFF = 1E-05 LREAL = .FALSE. LDIAG=.TRUE. LORBIT=11 NELECT = 507 LHFCALC = .TRUE. HFSCREEN = 0.207 ALGO = Damped TIME = 0.2 AEXX = 0.25 AGGAX = 0.75 AGGAC = 1.0 ALDAC = 1.0 ENCUTFOCK = 0 KPOINTS: KPOINTS 0 gamma 2 2 2 0. 0. 0. |
木蟲 (著名寫手)
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