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knightshui木蟲 (小有名氣)
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[交流]
【求助】多晶硅的反射譜或吸收譜，及其機理解釋 已有4人參與
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SCU_magiclee
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小木蟲(金幣+0.5):給個紅包，謝謝回帖交流
夕陽西下:述一般適用于單晶硅，但是多晶硅在某些情況下也使用。即晶粒尺寸足夠大，晶界較少，對少數(shù)載流子的壽命影響很小的情況下適用。為什么對少數(shù)載流子的壽命影響很小的情況下適用？ 2010-11-07 11:32:05
小木蟲(金幣+0.5):給個紅包，謝謝回帖交流
夕陽西下:述一般適用于單晶硅，但是多晶硅在某些情況下也使用。即晶粒尺寸足夠大，晶界較少，對少數(shù)載流子的壽命影響很小的情況下適用。為什么對少數(shù)載流子的壽命影響很小的情況下適用？ 2010-11-07 11:32:05
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首先，我覺得用機理解釋這個詞可能不大合適。這個東西是非常成熟的理論（半導體、凝聚態(tài)物理）和光譜技術（IR,PL）的結合，是已經(jīng)有定論的東西了。一般說機理解釋，好像大多用來說新的，還存在爭議的現(xiàn)象等等。呵呵，只是感覺，樓主勿怪。 言歸正傳，說說我的一點認識： 1.入射光照射到多晶硅上，一部分光被反射，一部分光透過，還有一部分光被吸收，三者的和是光的總強度1.一般是短波的光（光子能量大于Eg）很容易被反射，能量小于Eg的光的一部分被多晶硅中的雜質和晶格吸收，剩下的一部分透過。 2.（單晶）硅中最重要的就是對電學性能有作用的淺雜質（P/B/AS.....），這些雜質占據(jù)了很少一部分硅的格點位置，和硅形成共價鍵。根據(jù)不同的雜質分為N和P型。以N型磷摻雜的樣品為例，室溫下，由于晶格熱振動，束縛在磷原子上的電子通過晶格振動獲得一定能量，得以脫離這個束縛，即電離。脫離束縛的電子就進入導帶，參與導電。如果在極低溫下（<15K），可忽略雜質電離，如果樣品補償也忽略，那么這時候得到的紅外吸收光譜的光源提供的光的能量就用來激發(fā)這些未電離的原子態(tài)雜質，檢測器得到的光強可以換算為透過率，進而轉換為吸收光譜，光譜反應了雜質態(tài)束縛電子的激發(fā)和馳豫信息。吸收峰的位置（波數(shù)）可以拿來定性，而峰高（峰面積）則可以拿來定量。具體過程還要復雜，這里不太好說清楚，建議看看半導體物理書和紅外光譜原理的書。一般測碳和氧就用常溫紅外光譜，而三五族雜質就需要低溫光譜技術如LT-FTIR、LT-PL。 3.2所述一般適用于單晶硅，但是多晶硅在某些情況下也使用。即晶粒尺寸足夠大，晶界較少，對少數(shù)載流子的壽命影響很小的情況下適用。當然，單晶多晶畢竟有差異，可能在峰位和峰形上會有些差別，但大體上是差不多的。 4.看樓主專業(yè)是太陽電池。在太陽電池領域，反射譜一般用于表征減反射層的減反射效果。即為了得到最佳的反射層，使反射竟可能低，這樣吸收得就多，更多的光就被利用，從而提升光電轉換效率。 寫得有點亂，也比較通俗，如果哪里不嚴謹?shù)脑�，還請高手幫忙指出，以免誤導他人。 [ Last edited by SCU_magiclee on 2010-11-7 at 10:54 ] |
5樓2010-11-07 10:34:35
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