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xuhj8517銀蟲 (正式寫手)
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國(guó)家自然科學(xué)基金2010 年半導(dǎo)體科學(xué)領(lǐng)域申請(qǐng)項(xiàng)目概況分析
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練好基本功,加強(qiáng)高性能器件研究 — 國(guó)家自然科學(xué)基金2010年半導(dǎo)體科學(xué)領(lǐng)域申請(qǐng)項(xiàng)目概況分析 During the transformation period for foundation, take the opportunity to restructure—analysis of the applied projects in 2010 semiconductor discipline of National Natural Science Foundation of China 中文關(guān)鍵詞:自然科學(xué)基金 半導(dǎo)體科學(xué) 項(xiàng)目申請(qǐng) 作者 單位 何杰 國(guó)家自然科學(xué)基金委員會(huì)信息科學(xué)部,北京 100085 郭睿倩 復(fù)旦大學(xué)先進(jìn)材料實(shí)驗(yàn)室, 上海 200433 潘慶 國(guó)家自然科學(xué)基金委員會(huì)信息科學(xué)部,北京 100085 中文摘要: 2011年度基金資助形式將有較大變化,面上項(xiàng)目資助期限將改為四年,平均資助強(qiáng)度將達(dá)到60多萬(wàn)元,重點(diǎn)項(xiàng)目資助期限改為五年,資助強(qiáng)度達(dá)300萬(wàn)元,敬請(qǐng)各位申請(qǐng)人認(rèn)真閱讀基金項(xiàng)目指南,或咨詢單位科研管理部門,以了解詳細(xì)情況。2010年度半導(dǎo)體科學(xué)領(lǐng)域申請(qǐng)項(xiàng)目數(shù)維持了穩(wěn)步增長(zhǎng)的勢(shì)頭,半導(dǎo)體晶體與薄膜材料、集成電路設(shè)計(jì)與測(cè)試、半導(dǎo)體光電子器件申請(qǐng)項(xiàng)目數(shù)仍然比較集中,近兩年來一直處于半導(dǎo)體學(xué)科前列。半導(dǎo)體光電子器件、半導(dǎo)體電子器件和新型信息器件申請(qǐng)項(xiàng)目數(shù)比2009年度有明顯增長(zhǎng),而半導(dǎo)體物理申請(qǐng)項(xiàng)目數(shù)稍有下降。由于我們倡導(dǎo)大家關(guān)注器件制備和基礎(chǔ)工藝中的關(guān)鍵科學(xué)問題,2010年針對(duì)這方面的研究有所提升,今后若干年內(nèi)我們?nèi)詫⒁龑?dǎo)大家加強(qiáng)這方面的研究,在評(píng)審過程和資助結(jié)果中也必將會(huì)有所體現(xiàn)。本文簡(jiǎn)述了2010年半導(dǎo)體科學(xué)領(lǐng)域基金申請(qǐng)與資助概況,分析近期動(dòng)態(tài)及學(xué)科對(duì)策,并附2010年半導(dǎo)體科學(xué)領(lǐng)域資助的項(xiàng)目清單,供有關(guān)科技工作者參考。 [ Last edited by xuhj8517 on 2010-12-27 at 20:12 ] |
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