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【求助】晶粒尺寸 材料性能關(guān)系(請盡量詳細(xì)一些)
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Hall-Pech relation 最基本的了。 直接對Yield strength、cleavage fracture stress、DBTT, Hardness等都有影響。推薦一篇最近文章也許對你有用,ISIJ International, Vol. 48 (2008), No. 8, pp. 1063–1070, 看第四頁左邊部分,別的不用看。 it should be noticed that the grain size,d, in these relations must be "the effective grain size " [ Last edited by peter_fling on 2011-1-8 at 02:50 ] |
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粗晶的時候,HALL-PATCH關(guān)系起作用,即隨著有效晶粒尺寸的減小材料的強(qiáng)度(屈服應(yīng)力)逐漸提高,但當(dāng)晶粒尺寸減小到一定程度時(稱為臨界晶粒尺寸,大概為20或10納米,我記不清楚了),Hall-patch關(guān)系失去作用,開始出現(xiàn)隨著晶粒尺寸的減小材料的強(qiáng)度下降的反常現(xiàn)象。 由于樓主你問的太籠統(tǒng),我僅以材料強(qiáng)度和晶粒尺寸的關(guān)系來回答你。 |
金蟲 (著名寫手)
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晶粒與材料性能間的關(guān)系,個人認(rèn)為不能單單的從HALL-PETCH公式本身去考慮,而應(yīng)從其本質(zhì)去理解問題。 首先,HALL-PETCH的強(qiáng)化原理是dislocations作為shear stress 的obstacles,從這一點(diǎn)出發(fā),這個公式應(yīng)該要求高的dislocation density。對于HP公式高的dislocation density 主要來源于晶界,所以就與晶粒聯(lián)系起來了。 其次,要構(gòu)架起grain size, grain boundaries and dislocatios三者之間的相互關(guān)系。晶粒小,晶界多,小晶粒內(nèi)部都有可能引起不同程度的畸變,這也是納米材料強(qiáng)度高的主要來源;很多晶界充當(dāng)三個角色:1)a source of dislocations, i.e., grain boundaries emit dislocations; 2)effective barriers to movement of dislocations; 3) a sink for dislocations。 最后,通過HP公式去理解。 請參見 Nanocrystalline of Hall-Petch relationship in nanocrystalline materials C.S.Pande, K.P.Cooper Progress in Materials Science 54 (2009) 689-706. |

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