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cefele

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[交流] 【求助】一個沒想清楚的問題—納米粒子和量子點(diǎn)的區(qū)別

我不太明白，納米粒子和量子點(diǎn)的區(qū)別是什么？如果僅僅是尺度問題，那么，用電子束刻蝕一層薄的半導(dǎo)體，由于電子束刻蝕已經(jīng)達(dá)到2nm精度，那么理論上可以得到想要的任意形狀量子點(diǎn)及排列。而我看的資料卻說人工制備半導(dǎo)體量子點(diǎn)還是一件困難的事，如MBE生長量子點(diǎn)需要考慮晶格匹配的問題。所以，是否量子點(diǎn)還要有好的晶體周期排列。而納米粒子僅僅對尺度有要求，對原子排列無要求，只要能結(jié)合在一起就行？
有蟲友專家能幫我解開這個問題嗎？

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1樓 2011-01-16 20:23:40

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hamiltonian

至尊木蟲 (著名寫手)

★ ★ ★ ★
cefele(金幣+1):謝謝參與
cefele(金幣+2): 講的很清楚,謝謝. 2011-07-19 18:45:35
lpszk(金幣+3): 很好 2011-08-20 07:27:25

納米粒子僅僅是粒子體積大小上在納米級。
而量子點(diǎn)除了體積是納米級別外，關(guān)鍵是體現(xiàn)“量子”效應(yīng)，以MBE生長GaAs/InAs/GaAs量子點(diǎn)為例，InAs的能帶是小于GaAs的，這樣電子就被限制在這樣一個零維空間里（量子阱是兩維無限深勢井的），就是所謂的“人工原子”。也就是說，做半導(dǎo)體量子點(diǎn)結(jié)構(gòu)的關(guān)鍵是要用寬禁帶的半導(dǎo)體材料完美的包裹住窄禁帶的量子點(diǎn)。
單單利用刻蝕是無法形成量子點(diǎn)結(jié)構(gòu)的。用MBE生長量子點(diǎn)時，一般會在最后表面上再生長一層量子點(diǎn)，這一層僅僅是用AFM來觀察一下形貌。想得到量子點(diǎn)的PL還必須是中間被寬禁帶材料夾著的那些量子點(diǎn)。
S-K模式長出的量子點(diǎn)是隨機(jī)的，MBE做量子點(diǎn)難點(diǎn)其實(shí)是無法控制量子點(diǎn)的密度和大小，不是長出量子點(diǎn)本身。

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3樓2011-07-19 16:50:29

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我不是陳冠希

銅蟲 (小有名氣)

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★
cefele(金幣+1):謝謝參與
cefele(金幣+1): 2011-01-17 17:29:34

量子點(diǎn)是分散開的啊，不能團(tuán)聚，20nm以下，一般液相合成的

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2樓2011-01-17 16:00:28

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donkeypku

至尊木蟲 (著名寫手)

★ ★
小木蟲(金幣+0.5):給個紅包，謝謝回帖
lpszk(金幣+1): 謝謝交流 2011-08-20 07:27:46

量子點(diǎn)尺寸更小一些，必須小于其激子波爾半徑，其能級是分立的，可以用基于有效質(zhì)量近似的類氫薛定諤方程描述

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5樓2011-08-19 12:37:11

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cefele

鐵桿木蟲 (正式寫手)

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引用回帖:

5樓: Originally posted by donkeypku at 2011-08-19 12:37:11:
量子點(diǎn)尺寸更小一些，必須小于其激子波爾半徑，其能級是分立的，可以用基于有效質(zhì)量近似的類氫薛定諤方程描述

謝謝您的回答，其實(shí)我想問的是量子點(diǎn)結(jié)構(gòu)中是否要求原子具有周期排列而得到一個微小單晶？另外，如果量子點(diǎn)位于絕緣體或空氣中，那么效果應(yīng)該和寬禁帶材料包裹的情況一樣吧？如果不加電壓的話。

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6樓2011-08-19 22:32:13

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