sunday6392

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[交流] 【求助】電子密度問(wèn)題-如何回答評(píng)審人的問(wèn)題？急啊

第三個(gè)評(píng)審人的問(wèn)題是：2. How the electronic density changes with diferent geometries and how the influence in the magnetic properties with that changes?
電子密度怎樣隨著不同的幾何構(gòu)型而變化
電子密度的變化又對(duì)異構(gòu)體的磁性是如何影響的？

計(jì)算的體系是有機(jī)金屬化合物（由gaussian03計(jì)算）
這里的電子密度如何理解？（應(yīng)該不是自旋密度吧？）
請(qǐng)教各位我應(yīng)該怎么分析給點(diǎn)建議
拜托大家了哈

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1樓 2011-01-25 11:33:50

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zhou2009

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sunday6392(金幣+5): 謝謝周老師 2011-01-25 15:37:30

電子密度想來(lái)應(yīng)還是通常意義的。

但如果把全分子或者去掉內(nèi)層電子的價(jià)層電子的電子密度畫(huà)出來(lái)，它們都是濃濃的一片云，很難具體比較幾何構(gòu)型變化在電子云上的變化。

只能作密度差。但是現(xiàn)在幾何構(gòu)型發(fā)生了變化，也不能直接來(lái)作密度差。
但可以作分子片的密度差，但因不知幾何構(gòu)型到底是如何在變化，不能提出具體的設(shè)想。

分子片的密度差，原則上可以這樣作：在你的分子中，選擇一個(gè)這樣的關(guān)節(jié)鍵，劃分分子為R-R’。 R分子片包含金屬，R’ 分子片包含異構(gòu)體的幾何構(gòu)型變化，最好R分子片在構(gòu)型上沒(méi)有什么變化，并且將它固定統(tǒng)一的坐標(biāo)不變，以便比較。
分別計(jì)算第一種分子的R-R’的ρ、R的ρ和R’的ρ，要注意這時(shí)R和R’都形成有一個(gè)單電子的了。然后用R-R’的ρ逐次減去R的ρ和R’的ρ，就得到第一種構(gòu)型分子的Δρ。
然后計(jì)算第二個(gè)分子的R-R’，同樣作第二種構(gòu)型分子的Δρ。
比較這兩種分子Δρ的變化，特別是包含金屬的R分子片的電荷變化，并與幾何構(gòu)型、磁性影響關(guān)聯(lián)起來(lái)。
用GV除了看等值面圖外，還要設(shè)計(jì)R在一個(gè)平面上，從而比較兩個(gè)分子在R的截面等值線圖，等值線圖更加突顯不同幾何構(gòu)型的電荷凈變化。

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2樓2011-01-25 14:36:06

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manson1998

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3樓2011-01-25 14:39:22

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sunday6392

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Originally posted by zhou2009 at 2011-01-25 14:36:06:
電子密度想來(lái)應(yīng)還是通常意義的。

但如果把全分子或者去掉內(nèi)層電子的價(jià)層電子的電子密度畫(huà)出來(lái)，它們都是濃濃的一片云，很難具體比較幾何構(gòu)型變化在電子云上的變化。

只能作密度差。但是現(xiàn)在幾何構(gòu)型發(fā)生了變 ...

非常感謝您的建議
我感覺(jué)好像有些復(fù)雜化了
如果再簡(jiǎn)化些就好了

請(qǐng)周老師看一下下面這個(gè)圖（J. Phys. Chem. A 2009, 113, 7097–7102）
這樣是不是更明了些

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4樓2011-01-25 15:43:49

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zhou2009

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圖示只涉及到鍵長(zhǎng)和電子密度的變化。
鍵長(zhǎng)由gaussian03計(jì)算會(huì)在輸出中給出。
電子密度，從它給出的單位看是一個(gè)指定點(diǎn)的。
它的得到可以這樣作，由gaussian03計(jì)算得到chk文件，改寫(xiě)成fch之后，讀入multiwfn程序，選擇只對(duì)某一個(gè)指定點(diǎn)（指定x、y、z的坐標(biāo)值）計(jì)算電子密度即可求得，它的表達(dá)單位與圖例一致。

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5樓2011-01-25 18:27:04

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Originally posted by zhou2009 at 2011-01-25 18:27:04:
圖示只涉及到鍵長(zhǎng)和電子密度的變化。
鍵長(zhǎng)由gaussian03計(jì)算會(huì)在輸出中給出。
電子密度，從它給出的單位看是一個(gè)指定點(diǎn)的。
它的得到可以這樣作，由gaussian03計(jì)算得到chk文件，改寫(xiě)成fch之后，讀入multiwfn程序 ...

上文是通過(guò)AIM2000軟件計(jì)算得到
在高斯輸入文件加關(guān)鍵字：aim=all 有時(shí)候也可以
我想通過(guò)說(shuō)明某些鍵的電子密度與幾何構(gòu)型變化的關(guān)系來(lái)回答評(píng)審人的問(wèn)題
是否合適？

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6樓2011-01-25 19:27:09

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某些鍵的電子密度與幾何構(gòu)型變化當(dāng)然是有關(guān)系的，但不足以說(shuō)明對(duì)磁性是如何影響的。

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7樓2011-01-25 21:26:56

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mchen10

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ref asks you to make comparisons between your molecules, so just try to explain it, and better not overdo it to make it become too complicated.

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8樓2011-01-26 03:22:55

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關(guān)于電子密度變化的問(wèn)題 zhou2009老師已經(jīng)解釋的很清楚了我以前就是這樣用的這樣解釋我覺(jué)得比各種電荷劃分方法（不論mulliken、aim、nbo等任何電荷劃分方法）都更加接近真實(shí)

但是電子密度跟磁性我覺(jué)得實(shí)在是扯不上關(guān)系倒是可以這樣電子密度變化造成自旋密度的變化再通過(guò)自旋密度的變化來(lái)解釋磁性的變化這還差不多

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9樓2011-01-30 10:42:35

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yjcmwgk

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Originally posted by sunday6392 at 2011-01-25 19:27:09:
上文是通過(guò)AIM2000軟件計(jì)算得到
在高斯輸入文件加關(guān)鍵字：aim=all 有時(shí)候也可以
我想通過(guò)說(shuō)明某些鍵的電子密度與幾何構(gòu)型變化的關(guān)系來(lái)回答評(píng)審人的問(wèn)題
是否合適？

這個(gè)問(wèn)題呢我覺(jué)得還是用total density的變化來(lái)解釋要更合適一些鍵的電子密度的變化受周邊環(huán)境的影響很大而且某個(gè)鍵的長(zhǎng)度并不完全由該鍵的電子密度來(lái)決定周邊環(huán)境原子的“擠壓或吸引”（也就是我們常說(shuō)的空阻）也有很大影響嗯

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10樓2011-01-30 10:47:11

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qzhaosdu

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你說(shuō)的電子密度應(yīng)該是BCP的電子密度，鍵長(zhǎng)變化，這個(gè)密度也跟著變。至于磁性，你可以算一下spin-spin coulping constant,鍵變了，這個(gè)數(shù)也跟著變。

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11樓2011-01-30 15:07:05

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